第一章半导体器件与工艺技术的发展2.pptx

半导体工艺技术 中国半导体工业的发展 微电子技术发展 ;推动半导体业进步的两个轮子：工艺尺寸缩小和硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。超大规模集成电路的设计和制造所需的快速技术变化，导致新设备和新工艺的不断引入。每隔18到24个月，半导体产业就引入新的制造技术。伴随微芯片技术的发展有三个主要趋势： 提高芯片性能 提高芯片可靠性 降低芯片成本; 1.1 趋势1：提高芯片性能; 关键尺寸 芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸。 描述特征尺寸的另一个术语是电路几何尺寸。硅片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD。 自半导体制造业开始以来，器件的CD一直在缩小，从20世纪50年代初期以大约125um的CD开始，目前主流是45nm或者更小，可以量产的最小CD已达到28nm。 半导体产业使用“技术节点”这一术语描述在硅片制造中使用的可应用CD。从1um以下的CD实际的和预计的产业技术节点如下表所示。 ; ;当尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能力，必须采用辅助的两次或多次图形曝光技术。 提高光刻的分辨率有三个途径：缩短曝光波长、增大镜头数值孔径NA以及减少工艺参数。显然，缩短波长是最主要的，而且方便易行。目前市场的193nmArF光源是首选，再加入浸液式技术等，实际上达到了28nm，几乎已是极限。 ;　　因此可以相信，传统的193nm浸液式光刻技术加上两次图形曝光技术(DP)，甚至4次，从分辨率上在2015年时有可能达到10nm，这取决于业界对于成本上升等的容忍度。 　　何时能够到7nm或5nm？ 　　截至今日尚无人能够回答，因为EUV何时进入也不清楚。乐观的估计可能在2015年或2016年。 如果真能如愿，可能从10nm开始就采用EUV技术，一直走到5nm。 但是目前业界比较谨慎，通俗一点的说法仍是两条腿走路。;Nikon正努力延伸193nm的浸液式技术，甚至包含450mm硅片;而ASML{阿斯麦（中国大陆）、艾司摩尔（中国台湾）,总部设在荷兰,全球最大的半导体设备制造商之一，ASML的股票分别在阿姆斯特丹及纽约上市}。 ASML由于获得英特尔、三星及台积电的支持，正加快NXE3300B实用机型的设备在客户处使用，累积产出硅片已达44000片。另外，下一代EUV设备NXE3300B已开始安装调试，计划2013年供货。;　　　　ASML2013年描绘了业界期待已久的EUV光源路线图，近期Cymer公司已推出了专为ASML光刻机配置的40W极紫外(EUV)光源，工作周期高达每小时30片，并计划在2014年时NXE3300B中的光源升级达到50W，相当于43WPH（wafers per hour)水平。而100W光源可能要等到2015年或2016年，相当于73WPH。至于何时出现250WEUV光源，至少目前无法预测。500W光源写进路线图中是容易的，但是未来能否实现还是个问题。　　;只要实现73WPH，可以认为EUVL已达到量产水平，因为与多次曝光技术相比，它的成本在下降。 在10nm节点以下如果继续釆用多次曝光技术，则可能需要4x甚至8x的图形成像技术。;元件芯片的特征尺寸减小，在硅片上制作元件的数量就更多。对于微处理器，通过减小芯片CD，增加芯片的集成度，提高芯片表面的晶体管数量，由于芯片上的晶体管数连年急剧增加，芯片性能也已提高（见图）。 ; 摩尔定律 1964年，戈登·摩尔，半导体产业先驱和英特尔公司的创始人，预言在单位芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。关于微处理器上的晶体管数，如图所示，摩尔定律惊人地准确。; 功耗 芯片性能的另一重要参数是功耗。真空管功耗很大，而半导体器件确实功耗很小。随着器件的微型化，功耗相应减小。尽管每块芯片上晶体管数迅速增加，芯片的功耗却逐步降低（见图）。这已成为便携式电子产品市场增长的一个关键性能参数。 ;Intel’s CPU Year of introduction Transistors 4004 1971 2,250 8008 1972 2,500 8080 1974 5,000 8086 1978 29,000 286 1982 120,000 386? processor 1985 275,000 486? DX processor