第四章结型场效应晶体管.pptVIP

Schottky势垒的有效厚度Weff 和载流子平均自由程λ: ①在考虑载流子通过势垒的机理时, 可引入有效势垒厚度Weff ( 从势垒顶算起, 势 垒高度下降kT [相应电子浓度增至e倍] 时的距离 ). 设电场近似等于界面处的电场 Em = ( 2 q ND V bi /ε )1/2 , 则由 q Em Weff = kT 得到 Weff ≈ (1/q) [ε( k T )2 / ( 2 q ND V bi )]1/2 . ②载流子的平均自由程 λ= vthτ = ( 3 k T / m* )1/2×( m*μ/ q ) = μ( 3 k T m* )1/2 / q . ③如果λ Weff, 则载流子可以热离子发射方式通过势垒; 如果λ Weff, 则载流子 将主要以扩散方式通过势垒; 如果λ Weff, 则载流子将主要以隧道方式通过势垒. 对于室温下的Si和GaAs, 在掺杂浓度ND 1012 cm-3 时, 一般都满足λ Weff条件, 因此载流子主要是以热离子发射方式通过势垒; 但是对μ小的半导体 ( 例如非晶硅, μ 10 cm2/V-s ), 则必须要有较高的掺杂浓度才能满足λ Weff条件. Schottky二极管的特性: ① 伏安特性 ~ 电流是由热发射和漂移过程形成. 因热离子发射电流密度 J = q ns vc = q [kT/(2πm*)]1/2 no exp[-q(Vbi-V)/kT], 则有 JS→M = q vc Nc exp[ - q (φn – V ) / kT ], JM→S = q vc Nc exp[ - qφn / kT ] ; ∴从半导体流向金属的净电流为: J = JS→M – JM→S = JS [ exp(eV/kT) – 1 ] , 式中 JS = A* T2 exp( - qφn / kT ) , A* = 4πq m*k2 / h3 = 120 (m*/mo) [A/cm2-K2] (里查孙常数). 可见, Schottky二极管与p-n结具有类似的伏安特性, 只是用热发射(速度是vc) 代替了少数载流子的扩散(速度是D/L); 而vc比D/L要大几个数量级, 因此, 对 同样Vbi的两种二极管, Schottky二极管的电流要比p-n结二极管的大几个数量 级, 相应的导通电压也比较低. 实际上也存在有少数载流子电流: 空穴往半导体内注入的扩散电流, 但该电流比 多数载流子电流小几个数量级, 故通常可忽略, 而认为Schottky二极管就是多数 载流子器件. 也因此无少子存储电荷, 具有高频、高速的特性. ② 等效电路 ~ 由结电容Cj、二极管结电阻rd和串联电阻rs构成: 结电容 Cj = { qεND / [ 2 ( V bi - V )] }1/2 , 结电阻 rd = dV / dI = kT / ( q I ) ; 结阻抗为 Z = (1/ rd + jω Cj )-1 . 通常 rs rd , 故低频时rs可忽略; 但在高频时, 由于结阻抗Z的降低, 吸收的功率 相对rs上耗散的功率减少, 则需要计入rs . ③ 截止频率fT ~ 当频率上升到 “Z吸收的功率 = rs耗散的功率” 时的频率定义为 截止频率. 由 rs = rd / [1+ (ωT Cj rd )2], 得到(对rs rd ): ωT 2 ≈ 1/(Cj2 rd rs ) . 可见有 1/( 2πCj rd ) fT 1/( 2πCj rs ) . 对高频二极管, 要求Cj、rd和rs都很小; 若半导体的载流子迁移率很大, 掺杂浓度 又较高, 则rs可以达到很小. —— 静电感应晶体管 (SIT)—— 19 n n+ n+ p+ p+ S D G G S G D ID VDS VGS=0 VGS0 0 基 本 结 构 电 子