第1章--半导体器件20150320.ppt

* （三）、特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS UT 可近似用以下公式表示 当 时 为当 时的 输出特性曲线 UGS0 可以分为三个区域： 可变电阻区 恒流区 截止区 预夹断轨迹 二、N沟道耗尽型MOS管 增强型的MOS管UGS UT时才有导电沟道，工作电压受限制。如何解决？ 0 ID UGS UGS(off) 0 ID UGS UT 二、N沟道耗尽型MOS管 N 沟道耗尽型 P N N G S D 预埋了导电沟道 G S D UGS UGS(off) 0 ID 输出特性曲线 N P P G S D G S D P 沟道增强型 三、P沟道增强型MOS管 四、P沟道耗尽型MOS管 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 预埋了导电沟道 六种场效应管特性曲线比较 绝缘栅型 P沟道 增强型 耗尽型 - - - 1.4.3 场效应管的主要参数 1．直流参数 ①夹断电压 UGS(off) ②开启电压 UGS(th) ③漏极饱和电流 IDSS ④直流输入电阻 RGS 2．交流参数 ①低频跨导 ②交流输出电阻 3．极限参数 增强型参数 耗尽型参数 耗尽型参数 1.4.4 场效应管的小信号模型 G S D 跨导 漏极输出电阻 uGS iD uDS 很大， 可忽略。 场效应管的微变等效电路为： G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds 本章小结 （1）掌握本征半导体、杂质半导体（N 型半导体和 P 型半导体）以及 PN 结的特性。 （2）掌握二极管的伏安特性以及稳压管的应用 （3）掌握双极型三极管 的放大原理以及伏安特性 1.5 光电子器件 一. 发光二极管 发光二极管（LED）是具有一个PN结的半导体器件， 通常由砷化镓、磷化镓等化合物半导体材料制成 结构示意图： 发光二极管的伏安特性及图形符号： 当给发光二极管外加正向电压时，一般为1.2～2.2V。 工作电流一般为几毫安至十几毫安，发光二极管将发光，电流太大会烧坏二极管，所以电路中必须串接限流电阻。 二 . 激光二极管 半导体激光二极管是应用广泛的一种激光器， 其发光原理与发光二极管的原理类似。 半导体激光器的特点： （1）波长范围较宽，价格低，应用广泛； （2）效率高、体积小，使用非常方便； （3）可通过光电转换的方式提高激光功率。 三．光敏二极管 这种器件的PN结工作在反向偏置，其反向电流随 光照强度的增加而上升，并与光照度成正比，从而 实现光电转换 四. 光敏三极管 结构：具有两个PN结，类似于PNP型或NPN型三极管。 光敏三极管一般仅有两个引脚：集电极C和发射极E。 光敏三极管的特性与普通晶体管相似， 只是用参变量入射光照度E代替了基极电流 光敏三极管的主要用途有： （1）用于光电耦合器； （2）用于VCD、DVD、电脑光驱等的激光检测； （3）用于可见光、红外光的光检测与光监测； （4）用于光强度自动控制； （5）用于红外遥控接收； （6）用于红外、激光光纤传输系统的光信号接收放大。 光敏三极管符号： 五. 光电耦合器件 半导体光电耦合器是半导体光敏器件和发光二极管 组成的一种器件。 工作时，把电信号加到输入端，使发光器件发光，光电耦合器中的光敏器件在此光辐射的作用下输出光电流，从而实现电-光-电两次转换，通过光实现了输入端和输出端之间的信号耦合。 主要功能是用光 来实现电信号的 传递。 1.4.5 场效应管与晶体三极管的比较 二、作为放大器件时，结型场效应管的输入电阻大于108Ω,MOS场效应管的输入电阻大于1011Ω 一、场效应管是电压控制器件，而晶体管是电流控制器件 三、场效应管利用一种多子导电，故又称为单极型三极管其温度稳定性好。 四、MOS场效应管制造工艺简单，便于集成，适合制造大规模集成电路。 1.5.5 场效应管与晶体三极管的比较 ? 比较项目 结构 NPN型 PNP型 C极与E极一般不可交换使用 结型耗尽型 N沟道 P 沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P 沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P 沟道 D极与S极一般可交换使用 温度特性 多子扩散、少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 噪声 较大 较小 控制 电流控制电流源 CCCS(?) 电压控制电流源 VCCS(gm) 温度特性 受温度影响较大 受温度影响较小并有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大