第1章半导体元件及其特性机械121.pptVIP

* 退出 第 1 章　半导体元件及其特性 二极管 半导体基础知识与PN结 晶体管 退出 1.1 半导体基础知识与PN结 主要要求： 了解半导体材料的基本知识 理解关于半导体的基本概念 理解PN结的形成 掌握PN结的单向导电作用 退出 1.半导体的特点 自然界中的物质按导电性能可以分为 半导体导电特性独有的特点 导体 半导体 热敏性 光敏性 1.1.1 半导体的特点 绝缘体 杂敏性 退出 2.本征半导体 常用的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge），高纯度的硅和锗都是单晶结构，它们的原子整齐地按一定规律排列，原子间的距离不仅很小，而且是相等的。把这种纯净的、原子结构排列整齐的半导体称为本征半导体。 硅和锗的外层价电子都是4个，所以都是4价元素，右图是硅和锗的原子结构示意图。 （a）硅原子结构 （b）锗原子结构 退出 这四个价电子不仅受自身原子核的束缚，还受到相邻原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示： 价电子（本征激发） 自由电子-空穴对 （1）温度越高，自由电子-空穴对数目越多； （2）自由电子-空穴数目相等，对外不显电性。 硅（锗）原子在晶体中的共价键排列 退出 3.掺杂半导体 本征半导体实际使用价值不大，但如果在本征半导体中掺入微量某种杂质元素，就形成了广泛用来制造半导体元器件的N型和P型半导体。 根据掺入杂质的不同掺杂半导体可以分为 N型半导体 P型半导体 退出 （1）N型半导体——杂质为少量5价元素，如磷（P）； （2） P型半导体——杂质为少量3价元素，如硼（B）。 N 型 磷原子 自由电子 自由电子——多数载流子 空穴——少数载流子 载流子数 ? 电子数 P 型 硼原子 空穴 空穴 —— 多子 自由电子 ——少子 载流子数 ? 空穴数 退出 注意： 无论是N型还是P型半导体都是电中性，对外不显电性！！！ 退出 退出 内电场 1.PN结的形成 P区 N区 1.1.2 PN结形成与特性 2.PN结的特性 （1）PN结的正向导通特性——正偏导通（P区电位高于N区） 正向电流IF + ? U R 退出 ? + U R 2.PN结的特性 （1）PN结的反向截止特性——反偏截止（P区电位低于N区） 反向电流IR 退出 要记住： （1）外加正向电压时PN结的正向电阻很小，电流较大，是多子扩散形成的； （2）外加反向电压时PN结的反向电阻很大，电流极小，是少子漂移形成的。 要注意： PN结电路中要串联限流电阻。 退出 退出 1.2 二极管 主要要求： 了解半导体二极管的结构、类型、特性与参数 掌握半导体二极管在电子技术中的应用 退出 1.2.1 二极管的结构与类型 一个PN结加上相应的外引线，然后用外壳封装就成为最简单的二极管了，其中，从P区引出的引线叫做阳极或正极、从N区引出的引线叫做阴极或负极。 常用D （Diode）表示二极管。 图中的箭头表示正偏时的正向电流方向。 退出 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 金属触丝 N 型锗 P型层 阳极 阴极 面接触型 P型扩散层 锡 支架 N型硅 SiO2保护层 阴极 阳极 1.2.2 二极管的特性与参数 1.二极管的伏安特性 半导体二极管的内部就是一个PN结，因此二极管具有和PN结相同的单向导电性，实际的二极管伏安特性曲线如下图所示： u/V i/mA 正向特性 死区 电压 反向特性 IS 0 μA 击穿 电压 击穿特性 反向电流 硅管2CP12 锗管2AP9 退出 导通电压 一般小功率硅二极管与锗二极管几个典型参数的比较： 死区电压 硅管——0.5V 锗管——0.2V 正向导通压降UF 硅管——0.7V 锗管——0.3V 反向电流IR 硅管——几μA以下 锗管——几十到几百μA 退出 2.二极管的主要参数 （1）最大整流电流IFM ——指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流值。 （2）最高反向工作电压URM ——指二极管不击穿时所允许加的最高反向电压，URM 通常是反向击穿电压的一半，以确保二极管安全工作。 （3）最大反向电流IRM ——在常温下承受最高反向工作电压URM时的反向漏电流，一般很小，但受温度影响很大。 （4）最高工作频率fM ——