掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究-电子学报.pdf

第 期 电 子 学 报 ２ Ｖｏｌ．４２ Ｎｏ．２ 年 月 ２０１４ ２ ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｆｅｂ． ２０１４ 掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究 ， ， ， １２ １２ １２ １ １ 宁文果 ，朱春生 ，李 珩 ，徐高卫 ，罗 乐 （ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 ； 中国科学院大学，北京 ） １． ２０００５０２． １０００４９ 摘 要： 在圆片级封装电镀铜重布线工艺中通常使用退火的方法促进铜晶粒生长、使电阻减小 而作为电镀铜 ． 种子层的溅射铜表面存在的微小裂纹通常会造成电镀液无法进入，从而使电镀铜和溅射铜界面出现孔铜，这类界面缺 陷将影响后续高温退火过程中铜晶粒的生长，并导致电镀铜电阻增大 为研究此问题，本文尝试在电镀铜前轻微腐蚀 ． 溅射铜种子层，使裂纹尺寸变大，电镀液得以进入裂纹，并电镀填充裂纹形成无孔洞的电镀铜；此外若在电镀铜后在电 镀铜表面溅射一层 层可限制高温下铜原子运动，使电镀铜经受 退火 分钟而不形成孔洞，高温退火同时 ＴａＮ ３００℃ １０ 可使得铜晶粒长大，电阻变小． 关键词： 电镀铜；孔洞；退火 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ３０５ Ａ ０３７２２１１２２０１４０２０４１１０６ 电子学报 ： ： ： ＵＲＬ ｈｔｔｐ／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ ＤＯＩ １０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１４．０２．０３０ ＳｔｕｄｙｏｎｔｈｅＶｏｉｄＦｏｒｍａｔｉｏｎｉｎＴｈｒｏｕｇｈＭａｓｋＰｌａｔｅｄ ＲｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎＬａｙｅｒｉｎＷａｆｅｒＬｅｖｅｌＰａｃｋａｇｅ ， ， ， １２ １２ １２ １ １ ， ， ， ， ＮＩＮＧＷｅｎｇｕｏ ＺＨＵＣｈｕｎｓｈｅｎｇ ＬＩＨｅｎｇ ＸＵＧａｏｗｅｉＬＵＯＬｅ （ （ ）， （ ）， ， ； １．ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＳＩＭＩＴ ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ ＣＡＳ Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００５０Ｃｈｉｎａ