白底+9第9章MOS场效应晶体管.pptVIP

2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 9-4-本征电容，源漏区结电容 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 9-4-覆盖电容 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 9-4-大信号瞬态模型，简化模型 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 9-5 MOS晶体管的其它电学参数1 阈值电压 VT 漏极电流 ID 工作速度 跨导 沟道电阻 其它 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 9-5 MOS晶体管的其它电学参数2 工作速度 切换时间：电子从源到漏的所需要的时间 公式：τ = L2/(μ*VDS) 跨导 Gm = ( dIDS / dVGS )|VDS不变 图1-1-5 沟道电导 Gd =(dIDS / dVDS )|VGS不变 图1-1-6 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 9-5 MOS晶体管的其它电学参数2 导电因子、增益因子 导电因子K因子、本征导电因子K’ 结论：导电因子由工艺参数 K’和设计参数 W/L决定。 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 第九章小结 MOS晶体管的结构特点和基本原理 MOS晶体管的阈值电压和影响因素 MOS晶体管的简单电流方程和输出曲线 MOS晶体管的电学参数 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 第九章讨论 由简单电流方程求出饱和区沟道电阻和跨导。 描述你的理想MOS晶体管模型 就实际晶体管的输出曲线，试述饱和区电流不饱和的原因 * * * 背景知识：1，栅压主要控制电荷：2部分电荷，沟道区及其下面的耗尽层电荷。栅压控制的电荷数量和栅压大小成正比。 2，耗尽层内电荷数量是体积和电荷密度的乘积，而耗尽层内电荷的电荷密度是一定的，由制造时本地的掺杂浓度 决定。所以，电荷数量和耗尽层体积成正比。 3，栅压大小和沟道区下面的耗尽层体积成正比。 原因：源漏耗尽层在沟道区的横向扩展 结果：沿着L的剖面，沟道下的耗尽区原来应为矩形，现在为上大底小的梯形。所以，耗尽区体积减小。 要求：现象、原理、结果。不要公式和计算。 * 原因：栅压的电场 结果：沿着w的剖面，沟道下的耗尽区原来应为矩形，现在为上小底大的梯形。所以，耗尽区体积增加。 * 夹断现象： 线性区：沟道电阻沿着L方向近似均匀的。I--V线性。 临界饱和区：漏饱和电压：刚好夹断时的漏极电流。 饱和区现象：沟道上电压降保持不变。增加的电压给耗尽区。沟道上电流依然连续为导通电流。长沟道时近似认为沟道电阻不变，因此导通电流不变—叫饱和电流，因此叫做饱和区。 说明：夹断处反型层是存在的，但相对耗尽层可以忽略， * 简单方程和完整方程的比较结果：图1-3-4 * 本科生：只讲概念和结论 1，本征电容分析：等效分布为 CGS\CGD\CGB；不仅和电容两端电压有关，而且和其他端点的电压有关。 2，源漏区PN结电容：并联电容，分块求和，公式 3，覆盖电容：3部分：CGS、CGD, 图1-4-9, L方向； CGB,图1-4-9,W方向，场区覆盖。 * V= S/T = L/ τ τ= L/V =L /(u E) E = VDS / L 所以： τ = L2/(μ*VDS) VLSI CAD, CHP.0 前言， * 第九章MOS场效应晶体管 9-1， MOS 管基本原理 9-2， MOS 管的电学参数1阈值电压 9-3，电流方程 9-4，其他电学参数 前言， * 第九章Mos场效应晶体管原理 参考书： 双极型与MOS半导体器件原理 黄均鼎 汤庭鳌 编著 复旦大学出版社 晶体管原理 半导体器件电子学（英文版） 美国，R.M.Warner, 电子工业出版社 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 9-1 MOS晶体管工作原理 9-1-1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 9-1-2 MOS晶体管的阈值电压分析 9-1-3 MOS晶体管的电流方程 9-1-4 MOS晶体管的瞬态特性 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 9-1，MOS晶体管工作原理 1-1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 1-2 MOS晶体管的阈值电压分析 1-3 MOS晶体管的电流方程 1-4 MOS晶体管的瞬态特性 补充：1-5 MOS晶体管的其它电学参数1 2000-9-20 VLSI CAD, CHP.0 * 9-1-1??MOS晶体管的基本结构 MOS晶体管--- MOSFET,金属-氧化物-半导体场效应晶体