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中国机械工程第 卷第 期 年 月下半月
19 4 2008 2
集成电路芯片制造中
电化学机械平整化技术的研究进展
翟文杰 梁迎春
暋
, ,
哈尔滨工业大学 哈尔滨 150001
: ( ) /
摘要 大马士革 结构的 低 介质材料互连技术为集成电路芯片制造提出了方向和挑
Damascene Cu k
。 ( ) ( ) ,
战 电化学机械平整化 ECMP作为化学机械平整化 CMP的一种拓展加工手段 可对传统CMP技术进
, 。
行补偿 可对含有易损多孔电介质材料的新型互连结构进行低压力平整化 比较了 和 的特
ECMP CMP
, 。
点 对ECMP技术的研究现状和发展趋势进行了综述 指出ECMP过程控制的深层次的技术基础是摩擦
, 、 、 ,
电化学理论 只有深入系统地研究ECMP过程中的外加电势 摩擦磨损 化学反应三者间的相互作用 才能
揭示ECMP过程中材料的加速去除原理和超光滑无损伤表面的形成机理。
: ( ); ; ;
关键词 电化学机械平整化 低 介质 大马士革互连 摩擦电化学
ECMP k Cu
中图分类号: ; 文章编号: — ( ) — —
TH117.2TG115.5暋暋暋 1004 132X200804 0498 06
ResearchProressesonElectro-chemicalMechanical
g
( )
PlanarizationECMP intheFabricationofInteratedCircuitWafers
g
ZhaiWenie Lian Yinchun
j g g
, ,
HarbinInstituteofTechnolo Harbin150001
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AbstractLow-kCuDamasceneinterconnectsinterationtechnolo rovidesthedirectionas
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