Cu掺杂ZnO稀磁半导体的制备 微观结构和磁特絮性分析.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘要ZnO 摘要 ZnO基稀磁半导体在实现电荷和自旋的同时操纵方面有极大的应用价值， 是制各自旋电子学器件的首选材料，如何研制出具有室温铁磁性的ZnO稀磁半 导体，使其制备的自旋器件在室温下能够应用，是当前人们研究的热点。尽管有 许多关于其室温铁磁性的报道，但是这些观察到的铁磁性是源于掺杂离子的替位 效应还是其偏析物一二次相或团簇，存在较大争议。究其原因是常规分析手段(如 XRD)很难探测到稀磁半导体中低浓度掺杂离子的详细结构信息，而磁性来源 和ZnO稀磁半导体的微观结构是密切栩关的。所以选择灵敏度高的分析手段来 研究ZnO稀磁半导体的微观结构是了解其磁性来源的关键。另外，为了避免二 次相或团簇问题，选择非磁性元素(如Cu)作为掺杂剂，目前是人们关注的焦 点。本论文选择Cu作为掺杂剂并使用高灵敏的同步辐射X射线衍射(SR．Ⅺ①) 和X射线吸收精细结构谱(Ⅺ虹S)结合质子激发X射线荧光技术(PⅨE)、X 射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman Spectrum)和交变梯度磁强计(AGM) 等多种分析手段对Znl-xCuxO稀磁半导体的微观结构和磁性进行详细研究，得到 了一些有价值的研究结果。 1．使用经过恢复和改造的磁控溅射镀膜机，采取射频磁控溅射和复合靶技 术，在蓝宝石(A1203)衬底上制备了一系列znl．xCuxO薄膜。 2．几]P