光纤通信5第五章光检测器与光接收机.pptVIP

5.1 光检测器 1.光纤通信对光电检测器的主要要求 (1) 在工作波长上光电转换效率要高，即对一定的入射光信号功率，光检测器能输出尽可能大的光电流； (2) 检测过程中带来的附加噪声尽可能小； (3) 响应速度快、线性好及频带宽，使信号失真尽量小； (4) 高可靠长寿命，尺寸可与光纤直径相配，工作电压低等。 2．半导体的光电效应 当光子照射到物体上时，它的能量可以被物体中的某个电子全部吸收，如果电子吸收的能量足够大，超过了克服脱离原子所需要的电离能和脱离物体表面时所需的溢出功，电子就可以离开物体表面脱逸出来，成为光电子，这就是光电效应。 2．半导体的光电效应 图b是PN结及其附近的能带分布图，能带的高低是以电子（负电荷）的电位能为根据的，电位越负，能带越高。 由于光子的能量为h f，半导体光电材料的禁带宽度为Eg，则当光照射光电二极管上时，若h f ≥ Eg时就会产生光生“电子－空穴”对（光生载流子）。 2．半导体的光电效应 设fc为截止频率，λc为截止波长，则Eg＝h fc， 所以 λc＝hC / Eg 当入射光波长λ λc时，入射光才能被半导体材料吸收产生光生载流子。 当入射光变化时，光生电流随之做线性变化，从而把光信号转化成电信号，这种由受激吸收产生的“电子－空穴”对的运动，在闭合电路中产生光生电流的器件就是简单的光电二极管 3．PIN光电二极管 为了改善光电检测器的响应速度和转换效率，在P型材料和N型材料之间加一个I层（本征耗尽层），它是轻掺杂的N型材料，由于掺杂浓度较轻，电子浓度很低，经扩散可以形成一个很宽的耗尽层。这就是PIN光电二极管（PIN-PD），如图5-1-2所示。 4．雪崩光电二极管 APD的工作原理是利用半导体材料的雪崩倍增效应制成的。 图为拉通型雪崩光电二极管(RAPD)的结构示意图和电场分布图。 4．雪崩光电二极管 4．雪崩光电二极管 保护环型（GAPD） 为防止扩散区边缘的雪崩击穿，在制作时先沉积一层环行N型材料然后高温推进，形成一个深的圆形保护环，在保护环和P区之间形成浓度缓慢变化的缓变结，从而防止了高反向偏压下PN结边缘的雪崩击穿。 特性：具有高灵敏度。雪崩 增益随偏压变化的非线性十分突出， 要想获得足够增益，必须在接近击 穿电压下使用，而击穿电压对温度 非常敏感，当温度变化时，雪崩增 益也随之发生较大的变化。 4．雪崩光电二极管 5.2 光电检测器的工作特性 光电检测器的工作特性参数很多，PIN-PD的主要工作特性有的响应度和量子效率、响应时间、暗电流等，由于APD有雪崩倍增效应，所以APD除了上述参数外还包括倍增因子、过剩噪声指数等。 1响应度和量子效率 响应度是描述这种器件光电转换能力的物理量。 2．响应时间 响应时间是描述光电检测器对光信号变化响应速度快慢程度的物理量，一般用上升时间和下降时间来表示。 所谓上升时间是PD受阶跃光脉冲照射时，输出脉冲前沿的10%点到90%点之间的时间间隔来衡量，如图所示。 渡越时间： 是指耗尽区内产生的光生载流子穿越耗尽层所需要的时间，用td表示 td＝W/vd ,W－耗尽层宽度，vd－载流子的漂移速度。 2) 扩散时间： 在耗尽区以外产生的载流子要产生扩散，扩散时间用τi来表示。如果扩散区的电场很小，扩散时间很长， 由于τi的存在会产生脉冲拖尾。 5．倍增特性 对于APD，由于发生雪崩倍增效应，所以APD还需要用倍增特性来描述。APD的倍增特性有倍增因子G、过剩噪声指数x等。 倍增因子定义为G：为有雪崩倍增时光电流的平均值IM与无雪崩倍增时光电流的平均值IP的比值G=IM/IP 5．倍增特性 5.3 光接收机 1)光接收机前端 光接收机前端的作用是将光纤线路末端耦合到光电检测器把光比特流转变为时变电流，然后进行预放大，以便后一级进一步处理。 光接收机前端一般由光电检测器和前置放大器组成。 1)光接收机前端 前置放大器应具有无失真的检测和恢复弱信号的能力， 这就要求前端应具有低噪声、高灵敏度和足够的带宽。 根据不同的应用要求，前端的设计有三种不同的方案。 (1)低阻抗前端。 (2)高阻抗前端 (3)跨(互)阻抗前端 1)光接收机前端 1)光接收机前端 1)光接收机前端 1)光接收机前端 1)光接收机前端 光接收机的线性通道由一个高增