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* 外延后图形严重畸变 对于(111)晶片,取向对畸变影响很大 畸变小 畸变严重 * 轻微畸变使图形边缘模糊，使光刻困难 轻微畸变 水平方向变宽，光刻机不能识别 * 硅源中氯原子的含量上对shift的影响 * 温度对shift的影响 * 生长速率对shift的影响 * 减少畸变和漂移的方法 选用低氯的源。 温度升高畸变减少 降低外延压力(采用减压外延) 降低生长速率(减少氯含量) 对于(111)取向偏离3-4o(向最近的110方向) 增加H2流量 * 2. 掺杂与自掺杂 D总掺杂=D掺杂+D自掺杂 当D自掺量D掺杂时影响不大 当D自掺杂与D掺杂接近时,影响就明显,甚至难控制。 * 外延过程自掺杂的停滞层解释 在外延过程中衬底表面由于原子间的引力， 有一个停滞层， 衬底中重掺的杂质被吸附在停滞层, 沉积时以自掺杂进入外延层中。 停滞层 衬底 * 外延过程中气流和杂质的走向 * 具体案例： 重掺衬底使外延电阻率降低 .自掺杂量的估算： 在重掺锑的N+衬底上外延 本征外延：陪片ρ100Ωcm N+ ρ=18-26Ωcm 掺杂外延： DN=60cc 陪片ρ=11Ωcm N=4.4*1014 N+ ρ=7Ωcm N=5.5*1014 自掺杂量： ?=1.1*1014 * 不同的加热方式可以产生不同的自掺杂结果 1.感应加热的特点是基座的温度高于硅片温度，外延过程使基座上的硅向硅片背面转移，使重掺衬底的杂质封住，减少自掺杂。 2.红外加热的相反：硅片的温度高于基座，外延时硅片背面的硅和杂质原子在向基座转移过程中跑出来形成自掺杂。 所以红外加热要比感应加热自掺杂要严重，过渡区也差一些 T2 T3 T4 基座温度T1 T1T2T3T4 感应加热 * 外延的过渡区 1) 过渡区的定义： 在外延与衬底界面 外延电阻率差二个 数量级 2) 过渡区宽度对器件的影 响：过渡区小---好 3) 影响过渡区的因素： a衬底外扩散 b自掺杂 c外延主掺杂 c b a * 以P/P+为例减少自掺杂的试验 外延条件 外延结果 1.衬底电阻率 0.01 ΩCM 40 ΩCM 0.023 95 2.予烘烤问题 1220oC 95 1200 85 1180 65 3.沉积速率 1.5μ/M 90 1.0 75 0.5 36 4.沉积温度 1060oC 95 1080 50 1100 6 5.背封 1μ SIO2 150 * 减少自掺杂的方法 背封 掺sb的衬底比掺As的自掺杂小 不同外延炉自掺杂不同 减压外延 采用大量的H2赶气，可减少自掺杂 采用二步法外延 * 3.外延表面缺陷 常见缺陷有：层错、位错、滑移线、雾、小丘、桔皮状、边缘凸起、表面颗粒等 造成原因： 表面有损伤层，易产生层错 与(111)取向偏离小于0.5o，易产生乳凸状小丘 硅片受热不均匀，易产生滑移线 外延系统漏气易产生白雾 硅片表面不洁，或反应室脏易产生颗粒 * 1)层错 产生原因：衬底 表面有损伤，或 不干净 减少层错的方法： 用HCL腐蚀衬底 表面去除损伤层 及清洁硅片表面 * 表面颗粒: 与外延系统及衬
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