集成电路制造技术(PPT 67页).ppt

* 表1 影响光刻工艺效果的一些参数 8.1.2 分辨率 * 2.衍射对R的限制 设一任意粒子（光子、电子），根据不确定关系，有 ΔLΔp≥h 粒子束动量的最大变化为Δp=2p，相应地 若ΔL为线宽，即为最细线宽，则 最高分辨率 8.1.2 分辨率 * ① 对光子：p=h/λ，故 。 物理含义：光的衍射限制了线宽≥ λ/2。 最高分辨率限制： ②对电子、离子：具有波粒二象性（德布罗意波），则 ， 最细线宽： a. E给定：m↑→ΔL↓→R↑，即R离子 R电子 b. m给定：E↑→ΔL↓→R↑ 8.1.2 分辨率 * 3.光衍射影响分辨率 衍射光 投射光强度 偏离的折射光 被凸镜收集的衍射光 波长越短，衍射越弱 光学凸镜能够收集衍射光并增强图像 8.1.2 分辨率 * 1）数值孔径NA （Numerical Aperture） NA：表示凸镜收集衍射光的能力 NA = 2 r0 / D – r0 : 凸镜的半径 – D ： 目标（掩膜）与凸镜的距离 NA越大，凸镜收集更多的衍射光，产生更尖锐的图形 可产生、可重复的最小特征尺寸 由曝光系统的光波长和数值孔径决定 分辨率表达式：R=K1λ/NA K1 为系统常数, λ光波长, NA 数值孔径。 2）分辨率 R Resolution 8.1.2 分辨率 * 提高NA – 更大的凸镜, 可能很昂贵而不实际 – 减小DOF（焦深），会引起制造困难 减小光波长λ – 开发新光源, PR和设备 – 波长减小的极限：UV到DUV, 到EUV, 到X-Ray 减小K1 – 相移掩膜（Phase shift mask） 3)提高分辨率的途径 8.1.2 分辨率 * 8.1.3 光刻胶-Photoresist(PR) 光敏性材料：光照时发生化学分解或聚合反应 临时性地涂覆在硅片表面 通过曝光转移设计图形到光刻胶上 类似于照相机胶片上涂覆的光敏材料 正性胶和负性胶 * 负胶Negative hotoresists： Comparison of Photoresists 8.1.3 光刻胶-Photoresist(PR) 正胶Positive Photoresists： 聚合反应：显影时光照部分不溶解留下，未光照部分溶解； 分辨率低 分解反应：显影时光照部分被溶解，未光照部分留下 分辨率高 * 正胶（重氮萘醌）的光分解机理 8.1.3 光刻胶-Photoresist(PR) * 负胶（聚乙烯醇肉桂酸脂）的光聚合机理 8.1.3 光刻胶-Photoresist(PR) * 1)聚合物材料 固体有机材料 光照下不发生化学反应 作用：保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性 2)感光材料 当被曝光时发生光化学反应而改变溶解性 正性光刻胶：由不溶变为可溶 负性光刻胶：由可溶变为不溶 光刻胶基本组成 8.1.3 光刻胶-Photoresist(PR) * 3)溶剂 使光刻胶在涂到硅片表面之前保持液态 允许采用旋涂的方法获得薄层光刻胶薄膜 4)添加剂 不同的添加剂获得不同的工艺结果 增感剂：增大曝光范围； 染料：降低反射。 光刻胶基本组成 8.1.3 光刻胶-Photoresist(PR) * 完成所需图形的最小曝光量； 表征：S=n/E， E-曝光量（lx·s，勒克斯·秒）；n-比例系数； 光敏度S是光刻胶对光的敏感程度的表征； 正胶的S大于负胶 光刻胶光敏度S 8.1.3 光刻胶-Photoresist(PR) 光刻胶抗蚀能力 表征光刻胶耐酸碱（或等离子体）腐蚀的程度。 对湿法腐蚀：抗蚀能力较强； 干法腐蚀：抗蚀能力较差。 负胶抗蚀能力大于正胶； 抗蚀性与分辨率的矛盾：分辨率越高，抗蚀性越差； * 1）紫外-汞灯 g-line（436 nm），– 常用在 0.5 μm光刻 i-line（365 nm），– 常用在 0.35 μm光刻 8.1.4 光源 KrF（248 nm），0.25 μm, 0.18 μm and 0.13 μm ArF（193 nm）， 0.13 μm（目前32nm） F2（157 nm），–应用 0.10 μm 2）深紫外DUV--准分子激光器 3）下一代光刻NGL(Next Generation Lithography) 极紫外Extreme UV (EUV) lithography 波长：10-14nm X射线X-Ray lithography