第8章逻辑门电路.ppt

第8章 逻辑门电路 本章要求： 8.1 半导体器件的开关特性 8.1.1 门电路的基本概念 1. 二极管的开关特性 1、二极管的开关特性 2. 三极管的开关特性 2、 三极管的开关特性 8.2.1 二极管与门电路 8.2.1 二极管“与” 门电路 8.2.2 二极管或门电路 8.2.2 二极管“或” 门电路 8.2.3 非门（反相器） 8.2.3 三极管“非” 门电路 8.2.4 关于高低电平的概念及状态赋值 8.3.1 TTL反相器 3.TTL反相器的电压传输特性及参数 4. TTL反相器的输入特性和输出特性 4. TTL反相器的其它参数 8.3.2 TTL与非门 1. 集成逻辑门系列简介 （1） TTL门电路系列 TTL门电路分为54（军用）和74（商 用）两大系列，每个系列又有若干子系列。 相同品种类型代码的逻辑电路，逻辑功能及引脚排列相同。7400、74LS00、74ALS00、74HC00、74AHC00管脚图： （2）CMOS门电路系列 CMOS门电路可分为4000系列、74CXX系列和硅-氧化铝系列等三大系列。 各类集成逻辑门的主要技术指标如表3-7所示。由表可见，在各类逻辑门中，ECL逻辑门的传输延迟最小，工作速度最高，但抗干扰能力最差，功耗也最大；CMOS逻辑门抗干扰能力和带负载能力都最强，功耗也最低，但传输延迟较大，工作速度较低。 图中，输入端接有用于保护的二极管VD1和VD2。当输入端加正向电压时，相应二极管处于反向偏置，具有很高的阻抗，相当于开路；如果一旦在输入端出现负极性的干扰脉冲，VD1和VD2便会导通，使A、B两端的电位被钳制在-0.7V左右，以保护多发射极晶体管V1不致被损坏。 其它几个系列与非门的主要区别 （1）CT54H/74H高速系列2输入门 ①电路中所有的电阻值都减少了。②输出级V5管的有源负载改由V3和V4组成的复合管，通常叫做达林顿图腾柱结构，进一步提高了驱动负载的能力和工作速度，但其功耗增加了一倍以上，目前，这类产品的生产已经很少了。 (2) 肖特基系列2输入与非门。 8.3.2 TTL“与非”门电路 3. TTL“与非”门特性及参数 (2)TTL“与非”门的参数 8.3.3 集电极开路门（OC门） 8.3.4 三态输出门电路（TS门） 8.3.3 三态输出“与非”门 8.4.1 CMOS反相器 8.4.2 其它类型的CMOS门电路 8.5.1 CMOS门电路的使用知识 8.5.2 TTL门电路的使用知识 8.5.3 TTL门电路和CMOS 门电路的相互连接 8.4 MOS逻辑门电路 8.4.2 CMOS 门电路 解：与非门的三个输入端接高电平，输出为Y1=0； 或非门的输入分别为高、低电平，输出为Y2=0；与非门的输入端一接高电平，一接低电平，输出为Y3=1；或非门的输入一高一低，输出为Y4=0；三态门的使能端输入无效电平，输出Y5为高阻态；三态门的使能端输入依然是无效电平，输出Y6为高阻态；异或非门的输入端一为高电平，一为低电平，输出Y7=0；与或非门的三个输入端接高电平，一个输入为低电平，输出为Y8=0。 NMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接正电源 截止 导通 导通电阻相当小 PMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接负电源 （2）PMOS管的开关特性 导通 导通电阻相当小 截止 CMOS反相器 PMOS管 负载管 NMOS管 驱动管 开启电压|UTP|=UTN，且小于VDD。 2．CMOS反相器的工作原理 （1）基本电路结构 （2）工作原理 CMOS反相器 UIL=0V 截止 导通 UOH≈VDD 当uI= UIL=0V时，VTN截止，VTP导通， uO = UOH≈VDD CMOS反相器 UIH= VDD 截止 UOL≈ 0V 当uI = UIH = VDD ，VTN导通，VTP截止， uO =UOL≈0V 导通 （3）逻辑功能 　　实现反相器功能（非逻辑）。 　 （4）工作特点 　　VTP和VTN总是一管导通而另一管截止，流过VTP和VTN的静态电流极小（纳安数量级），因而CMOS反相器的静态功耗极小。这是CMOS电路最突出的优点之一。 CMOS反相器的电压传输特性和电流传输特性 3． 电压传输特性和电流传输特性 AB段：截止区 iD为0 BC段：转折区 阈值电压UTH≈VDD/2 转折区中点：电流最大 CMOS反相器 在使用时应尽 量避免长期工 作在BC段。 CD