集成电路工艺技术系列讲座(PPT 69页).ppt

双极集成电路工艺 外延 P Sub N-Epi N+ 埋层 双极集成电路工艺 隔离光刻 P Sub N- Epi N+ 双极集成电路工艺 隔离扩散 N-Epi N+ P+ P+ 双极集成电路工艺 基区扩散 N　埋层 P+ P+ 基区 双极集成电路工艺 发射区扩散 N+ P+ P+ p N+ N+ 双极集成电路工艺 接触孔光刻 N+ P+ P+ p N+ N+ 双极集成电路工艺 金属连线 N+ P+ P+ p N+ N+ 集成电路制造环境 超净厂房 　 无尘、恒温、恒湿 超净水 超净气体 常用气体(N2、O2、H2)纯度99.9999% 颗粒控制严　0.5/L 超净化学药品 纯度、颗粒控制 IC 制造环境(1)净化级别和颗粒数 净化室 IC制造环境(2) 超纯水 极高的电阻率（导电离子很少）　18M? 无机颗粒数　5ppb (SiO2) 总有机碳（TOC) 20ppb 细菌数 0.1/ml IC制造环境(3)超纯化学药品 讲座安排 引言和硅衬底 光刻 湿法腐蚀和干法刻蚀 扩散和热氧化 离子注入 外延 CVD 金属化 双极集成电路工艺技术 CMOS集成电路工艺技术 硅衬底材料 硅衬底材料 CZ(直拉）法生长单晶 硅片准备（切割－研磨－抛光） 晶体缺陷 抛光片主要技术指标 从原料到抛光片 原料SIO2 多晶硅 单晶 抛光片 蒸馏与还原 晶体生长 切割／研磨／抛光 起始材料 SiC +SiO2 Si(固)+SiO(气)+CO(气) 　形成 冶金级硅MGS(98%) 300C Si+3HCl SiHCl3(气)+H2 　 将SiHCl3(室温下为液体，沸点32C）分馏提纯 SiHCl3＋H2 Si+3HCl 　　产生电子级硅EGS(纯度十亿分之一），它是多晶硅材料 CZ(直拉）法生长单晶 石墨基座 晶体 RF线圈 熔融硅 石英坩埚 籽晶 分凝系数 平衡分凝系数 　k=Cs/Cl　 硼 0.8 磷 0.35 砷 0.3 锑 0.023 Liquid Solid Cs Cl 掺杂物质的分布 Cs=k0C0(1-M/M0)k0-1 K=1 0.1 0.01 Cs/C0 凝固分数 M/M0 10-1 1.0 10-2 有效分凝系数 ke=Cs/Cl　 （Cl为远离界面处液体的杂质浓度） ＝ko/[ko+(1-ko)exp(-v?/D)] v 拉伸速度 ? 粘滞层厚度 D 融体中掺杂剂扩散系数 提高v，减少转速（增加? ） 或 不断加入高纯度多晶硅 可使 ke 接近 1 硅片准备 滚圆和做基准面 切片(线切割），倒角（防止产生缺陷） 腐蚀 去除沾污和损伤层(HNO3+HF+醋酸) 磨片和化学机械抛光（NaOH＋SiO2，去除表面缺陷） 清洗（去除残留沾污） NH3OH＋H2O2， HCl＋H2O2, H2SO4＋H2O2 集成电路工艺技术 系列讲座 集成电路工艺技术讲座第一讲 集成电路工艺技术引言和硅衬底材料 引言 集成电路工艺技术发展趋势 器件等比例缩小原理 平面工艺 单项工艺 工艺整合 集成电路制造环境 讲座安排 集成电路技术发展趋势 特征线宽不断变细、集成度不断提高 　摩尔定律：芯片上晶体管每一年半翻一番 芯片和硅片面积不断增大 数字电路速度不断提高 结构复杂化、功能多元化 芯片价格不断降低 IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小 IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小 IC技术发展趋势(1)集成度不断提高－摩尔定律 IC技术发展趋势(2)硅片大直径化 IC技术发展趋势(3)CPU运算能力 IC技术发展趋势(4)结构复杂化　功能多元化 Bipolar CMOS BiCMOS DMOS BCD IC技术发展趋势(5)芯片价格不断降低 MOSFET等比例缩小 基本长沟道MOSFET器件特性 短沟道效应 *开启电压Vth下降 *漏极导致势垒下降 *源漏穿通 *亚开启电流增加 基本长沟道MOSFET器件 VD P n+ n+ Qn(y)=-[Vg-V(y)-2?]Co+?2?qNa[2 ?+V(y)] dV=IDdR=IDdy/Z? Qn(y) ID=Z/L ?Co{(VG- 2?-VD/2) VD-2/3