集成电路制造技术教材(PPT 88页).ppt

* Wafer Identifying Flats P-type (111) P-type (100) N-type (111) N-type (100) Figure 4.21 * Wafer Notch and Laser Scribe 1234567890 Notch Scribed identification number Figure 4.22 * Flat grind Diameter grind Preparing crystal ingot for grinding Ingot Diameter Grind Figure 4.20 * 切片 切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。 切片流程： * 切片 晶棒粘着：用腊或树脂类粘结剂将晶棒粘在同长的石墨条上，石墨起支撑、防边沿崩角、修整锯条。粘前用三录乙烯清洗表面，120～150℃1小时预热，80℃粘着。 结晶定位：保证结晶方向的偏差在控制范围内，试切－切片 切片：内径切割（ID Slicing）、线切割（wire－saw slicing）。内径切割－环形金属锯片内径边缘镶有金刚石，单片切割；线切割－利用高速往复移动的张力钢线上的陶瓷磨料切割晶棒，可同时切割多片。 切片决定晶片四个参数： 表面方向（surface orientation） 如111或100 厚度（thickness） 0.5mm～0.7mm，由晶片直径决定 斜度（ taper）：从一端到另一端晶片厚度的差异 弯曲度（翘度bow） 晶片中心量到边缘的弯曲程度 * Internal diameter wafer saw Internal Diameter Saw Figure 4.23 * 倒角 砂轮磨去硅圆片周围锋利的棱角 作用： A 防止硅片边缘破裂（破裂后会产生应力集中，会产生碎屑） B 防止热应力造成的缺陷（热应力会使位错向内部滑移或增殖，倒角可避免这类材料缺陷在晶片产生并抑制其向内延伸） C 增加外延层和光刻胶在硅片边缘的平坦度（外延时锐角区域的生长速度会较平面为高，不倒角容易在晶片边缘处产生突起，涂胶时光刻胶会在硅片边缘堆积（见下图） 倒角方法：化学腐蚀（chemical etching）、晶面抹磨（lapping）、轮磨（grinding） 倒角类型： 圆弧型、梯形 * 圆弧型倒角 * 倒角 * 倒角类型 圆弧型及梯形 * 磨片 工序目的： 去除硅片表面的切片刀痕和凹凸不平 使表面加工损伤达到一致保证在化学腐蚀过程中表面腐蚀速率均匀一致 调节硅片厚度，使硅片片与片之间厚度差缩小 提高平行度使硅片各处厚度均匀 改善表面平坦度 * 研磨设备 双面研磨机主要元件：A 2个反向旋转的上下研磨盘；B 数个置于上下研磨盘之间用于承载硅片的载具；C 用以供应研磨浆料（slurry）的设备。 A 研磨盘 材质要求：硬度均匀分布，能耐长时间的磨耗，容易修整。不造成晶片表面的划伤。一般用球状石墨铸铁，硬度140－280HB 研磨盘的沟槽：使研磨浆料更均匀地分布在晶片与研磨盘之间，排出研磨屑与研磨浆料。上研磨盘的沟槽比下研磨盘细而密，以减小晶片与上研磨盘之间的吸引力，以利磨完后取出晶片。 B 载具： 使用弹簧钢制造，有数个比硅片直径略大的洞，相对于盘面同时做公转与自转运动，确保硅片的平坦度。 * 研磨的操作 控制参数：研磨盘转速及所加的荷重。 研磨压力由小慢慢增加，以使研磨料均匀散布并去除晶片上的高出点，稳定态的研磨压力；100kgf/cm2，10－15min。研磨结束前需慢慢降低研磨压力。 研磨速度： 研磨压力增加；研磨浆料流速增加；研磨浆料内研磨粉增加；研磨盘转速增加都会提高研磨速度。 控制方法：定时或定厚度（磨除量） * 磨料 在一定压力下与硅片表面不断进行摩擦，通过机械作用去掉硅片表面的破碎损伤层，使硅片比切割时平整光滑并达到预定的厚度。 磨料： Al2O3、SiC、ZrO2、SiO2、CeO2 * 磨削液 在表面有损伤的地方，pn结的二极管噪声会增加；应力大的地方会增加pn结的扩散，形成pn结击穿；应力大的地方金属离子比较密集造成漏电流增加形成软击穿，须采用磨削液降低损伤层和应力层。 磨削液的作用： A 悬浮作用－吸附在磨料颗粒表面产生