Cr掺杂ZnO基稀磁半导亮体薄膜结构和磁性分析.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘要近年来，稀磁半导体因表现出独特的磁有序现象备受人们关注，这一方面是因为对 摘要 近年来，稀磁半导体因表现出独特的磁有序现象备受人们关注，这一方面是因为对 其所表现出的独特磁性的理解涉及到很多的基础性物理问题，另一方面是这些独特的磁 性蕴涵巨大的潜在应用前景。稀磁半导体同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将 磁、电集于一体的半导体器件，尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学 的发展，室温铁磁半导体材料的制备，半导体材料中有效的自旋注入，以及自旋在半导 体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题，稀磁半导体呈现 出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质，这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件 提供了物理基础。本文用射频磁控溅射法制备了过渡金属Cr掺杂ZnO的稀磁半导体薄 膜，在大量工艺探索的基础上，结合样品的结构分析和磁性行为，对样品磁性的起因进 行了初步的探讨。 首先概述了稀磁半导体的研究进展，重点介绍了ZnO基稀磁半导体的晶体结构、磁 有关的效应等。然后简要介绍了稀磁半导体中磁性起因，样品的制备工艺和探索过程， 着重介绍了射频磁控溅射。最后，从实验上研究了Cr掺杂ZnO系列样品的结构及其磁 化行为。 1．借助X．ray分析研究了所制备样品的结构。结果表明，按我们的制备工艺制备 出的ZnO薄膜样品具有纤锌矿型的晶体结构，对过渡金属掺杂的样品，在我们所选择 的低掺杂浓度范围内，掺杂没有引起ZnO晶体结构的改变，且在仪器灵敏度范围内没 有检测到第二相的存在。扫描电镜测试了薄膜生长的表面特性。 2．利用物理磁性测量仪对不同掺杂浓度、衬底温度和衬底选择的样品进行对比， 讨论了以上因素对薄膜磁性的影响。 到目前为止，文献上报道的研究集中在过渡磁性金属掺杂的稀磁半导体薄膜材料方 面，不仅获得样品的居里温度低，而且制备的重复性不高。我们在大量工艺探索基础提 出的磁控溅射法是一种较好的制备稀磁半导体的方法，并成功用此法获得达到室温的居 里温度。稀磁半导体能同时利用载流子的自旋和电荷自由度，已经成为未来自旋电子学 器件的关键材料，具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体的出现必将推动自旋电子学的 发展。 关键词： ZnO基稀磁半导体，cr，磁控溅射，结构，磁性 AbstractDiluted Abstract Diluted magnetic semiconductors(DMS)，which integrate the magnetism and semiconducting properties，are very significant from the view of both basic research and device application．So far,research on diluted magnetic semiconductor is one of the hot topics in the world．DMS could be used to construct magnetic and electronic device that utilize simultaneously the spin and charge degrees of freedom of carrieL Recent research on ferromagnetic semiconductors，high-efficiency spin injection，and spin manipulation and transport in semiconductors has attracted considerable interest in the past few years．DMS exhibit strong spin-dependent optical and transport properties，and these effects provide a physical basis for semiconductor spintronics devices．In this thesis，magnetic transition metallic elements Cr were introduced into ZnO by the radio frequency magnetron sputtering method；the magnetization behaviors and the origin of ferromagnetism of Znl．xCr x0 samples were studied． In the beginning the study back