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半导体超晶格和多量子阱;10.1 超晶格和多量子阱的一般描述;10.1 超晶格和多量子阱的一般描述;10.1 超晶格和多量子阱的一般描述;10.1 超晶格和多量子阱的一般描述;10.1 超晶格和多量子阱的一般描述;10.1 超晶格和多量子阱的一般描述;10.1 超晶格和多量子阱的一般描述;10.2 超晶格的能带 ;10.2.1 GaAs-AlxGa1-xAs超晶格;10.2.1 GaAs-AlxGa1-xAs超晶格;10.2.1 GaAs-AlxGa1-xAs超晶格;10.2.2 InAs-GaSb超晶格;10.2.2 InAs-GaSb超晶格; Si和Ge价带顶位于布里渊区中心k＝0处，并且价带是简并的（??一个能级与一种以上的状态相对应，则称之为简并能级，属于同一能级的不同状态的数目称为该能级的简并度）。由于能带简并，Si和Ge分别具有有效质量不同的两种空穴，有效质量较大的称为重空穴，有效质量较小的称为轻空穴。 对Si和Ge性质起作用的主要是重空穴和轻空穴。;10.2.2 InAs-GaSb超晶格;10.2.2 InAs-GaSb超晶格;10.2.3 HgTe-CdTe超晶格;10.2.3 HgTe-CdTe超晶格;10.2.4 应变层超晶格;10.2.4 应变层超晶格;10.2.5 掺杂超晶格;10.2.5 掺杂超晶格;10.3 垂直于超晶格方向的电子输运;10.3 垂直于超晶格方向的电子输运;10.3 垂直于超晶格方向的电子输运;10.3 垂直于超晶格方向的电子输运;负阻振荡器 ;负阻振荡器 ;负阻振荡器 ;负阻振荡器 ;负阻振荡器 ;10.3 垂直于超晶格方向的电子输运;10.3 垂直于超晶格方向的电子输运;10.3 垂直于超晶格方向的电子输运;10.4 超晶格的光谱特性 ;10.4 超晶格的光谱特性 ;10.4.1 吸收光谱实验;10.4.1 吸收光谱实验;10.4.2 激子光谱;10.4.2 激子光谱;10.4.2 激子光谱;10.4.2 激子光谱;10.4.2 激子光谱;10.4.2 激子光谱;10.4.3 激子的饱和吸收;10.4.4 室温荧光特性;10.4.4 室温荧光特性;10.4.5 其他光谱特性;10.4.5 其他光谱特性;10.5 超晶格和量子阱器件;10.5 超晶格和量子阱器件;10.5 超晶格和量子阱器件;10.5 超晶格和量子阱器件;10.6 量子阱和超晶格的近期发展 ;10.6.1 量子限制斯塔克效应（QCSE）;10.6.2 超晶格子能带的电学研究;10.6.2 超晶格子能带的电学研究;10.6.3 量子阱超晶格光电接收器;10.6.3 量子阱超晶格光电接收器;10.6.4 Wannier-Stark效应;10.6.4 Wannier-Stark效应;10.6.4 Wannier-Stark效应
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