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6.2.2 MOSFET的種類 N通道增強模式 N通道空乏模式 P通道增強模式 P通道空乏模式 基板為p型半導體，汲極與源極為n型摻雜。 基板為n型半導體，汲極與源極為p型摻雜。 N通道增強模式(Enhamcement mode) N通道增強模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電子反轉層，需加正閘極電壓才會有反轉層。 沒接通 電子由基底進入 N通道空乏模式(Depletion mode) N通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電子反轉層存在。 接通 電子由基底進入 P通道增強模式 P通道增強模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電洞反轉層，需加負閘極偏壓才會有反轉層。 沒接通 電子由基底流出 P通道空乏模式 P通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電洞反轉層存在。 接通 電子由基底流出 6.2.3 臨界電壓控制 基板偏壓效應（Substrate bias effects） 基板可不與源極接在一起另接偏壓，但必須保持源極到基板不為導通狀態（逆向偏壓），及VBS必須大於或等於零。 VBS大於零時，能帶更彎曲，有更多的空乏區電荷： Qsc增加，故臨界電壓也增加。 VSB = 0，反轉點能帶圖 VSB 0 基板偏壓效應（續） 造成臨限電壓的增加 ?s增加，造成S的減少，on-off特性更佳。 S大 S小 在MOS的製程上，VT受到閘極材料種類以及基板摻雜濃度影響。 例如：對NMOS（P型基板）而言，增加受體摻雜（B），可增加VT，反之，將硼摻入PMOS的基板（N型），可降低VT的絕對值。 調整VT的方法：1. 基板摻雜 調整VT的方法：2. 調整氧化層厚度 此為場氧化層可作為相鄰MOS隔離技術的原因 很大！！！ Figure 6.21. Cross section of a parasitic field transistor in an n-well structure. 調整VT的方法：3. 加基板偏壓 調整VT的方法：4. 選擇適當的閘極材料 利用調整功函數差來控制VT Figure 6.22. Threshold voltage adjustment using substrate bias.
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