光学多道测量光谱.docxVIP

使用光学多道测量光谱 扌商要：本文介绍了电荷耦合器件（CCD）成像原理，以及光学多道分析器 （OMA）多道快速检测和显示微弱光谱信号的方法，并利用汞灯的特征光 谱线长进行定标，测量钠灯和氢氛灯的光谱，为分析金属种类和金属特征 谱线长提供简便方法。 关键词：Hg光谱波长定标光栅多色仪 传统的光谱测量技术由于受到光谱分辨率、灵敏度、时间、分析速度的限制，已 经不再适应科学技术的发展和应用的需要。20世纪60年代激光科学特别是可调谐激 光技术的发展，新型光谱探测元件及探测技术的发展，光电二极管自校准技术和微弱 光谱信息的接收技术和处理技术以及微处理机的应用，使得光谱测量技术的发展产生 了一个革命性的变化，进入了一个新的发展时期。传统的摄谱仪、光电分光光度计等 光谱仪已经逐渐被光学多道分析仪0MA所取代。它集信息采集、处理、存储等功能于 一体。 CCD自1970年问世以后，发展迅速，应用广泛。它具有自扫描，光谱范围宽，动 态范围大，体积小，功耗低，寿命长，单色性高等优点，已应用于光谱分析仪器上， 将它置于光谱仪的光谱面，一次曝光可获得整个光谱，且易于计算。CCD图象器件用 于0MA的仪器迅速增长，大大提高了光谱分析的精度和效率。 1 ?实验原理 1. 1电荷耦合器件（CCD） 电荷耦合器件是一种以电荷量表示光量大小，用耦合方式传输电荷量的新型器 件。它具有自扫描、光谱范围宽、动态范围大、体积小、功耗低、寿命长、可靠性高 等一系列优点。 CCD基本结构和MOS（金属一氧化物一半导体）器件一样，衬底是硅半导体。如 图1,硅表面有一层二氧化硅薄膜，再上面是一层金属，作为电极。这样，在硅和电 极之间形成一个小屯容，在其两端加i偏压就产生一个与硅表面垂直的电场。如果衬 底是p型Si,金属电极置于高电位，电场的方向则从金属指向p型半导体。在金属 界面积累了一层正电荷，p型半导体界面处的空穴被排斥，只剩下带负电荷的受主杂 质离子，形成一耗尽层。耗尽层的杂质离子是不能自由移动的，对导电作用没有任何 贡献。随着电压的增加，耗尽层将逐渐展宽。 耘尽区受圭斑『空穴ee se什电1 耘尽区受圭斑『 空穴 ee s e 什电 1 叫? 亠 Qee9e 匸:e冷:eA n p L 空穴 (a) ⑹ 图1 (a)p型Si表面附近的耗尽层,(b)p型Si表面附近的反型层. 输出栅I导体电彳输入源E在耗尽区内或附近，由于光子的作用产生了电子一空穴对，电场将电子吸引到半 导体与绝缘体的界面。这些导体中的电子是可以自由运动的，是参与导电的载流子， 它们在界面形成了一个n型半导体层。它与原衬底的导电类型相反。故称为反型层。 反型层内电子的数目取决于光生电子一空穴数的累积值，器件曝光时间越长，此电荷 输出栅 I 导体电彳 输入源E P型的衬底 a) (b)图 (b) 图2三相CCD器件的传输过程 (C) 包中电子的数目就增多，耗尽层的宽度逐渐变窄。 CCD列阵的电荷包可以通过耦合的方式传输。图2表示一维CCD列阵的传输 情况，列阵中每三个器件为一个单元，列阵中各单元的(X电极接同一时钟脉冲线， 各单元所有的?2屯极与“3屯极与另两条时钟脉冲线相接。三个时钟脉冲的波形如图 2(c)所示。在t=t|吋刻，的电位最高，42，?3的电位为零，因此，电荷包贮存于 41电极下的势陷内。当l = t2时，少2电位升高与?1相同，? 1电极下的电荷包开始 向电极“2扩散。当t = t3时，1的电位开始下降，“2电位最高，“2电极下的势陷 比A电极下的势陷低，电荷包就从1电极下完全转移到“2电极下。当t = S时，(X、 ?3的屯位均为零，“2屯位最高，为下一次传输作准备。时钟脉冲不断重复，电荷包 就从左边向右边传递，最后从输出二极管输出。产生电荷包的光子可以透过衬底入射, 也可以透过电极或从电极的间隙通过二氧化硅入射到衬底上。但前者的量子效率高于 后者，因为通过电极和氧化层时均有吸收和反射损耗。 CCD线型列阵可以分为两部分，前一部分是受照一成像区，后一部分是用于读 出信号的移位寄存器。在成像区，相邻像元Z间有阻止电荷横向扩散的沟道。器件曝 光后。各像元电极下贮存的电荷包与各像元的曝光量成正比、形成一幅“电荷图”横 向转移脉冲把各像元下的电荷包移入到移位寄存器保存，然后在时钟脉冲?1、?2、 “3的作用下将各像元的电荷包从移位寄存器逐个移位，最后经输出二极管读出。在 移位寄存器读出的过程中，成像区又在曝光。 1.2光学多通道分析器 光学多通道分析器(OMA),是一种采用多通道方法快速检测盒显示微弱光谱信号 的电子光学仪器。它能方便地给出各种待测光谱的光谱曲线和光谱数据，可用于快速 光谱分析及各种光谱研究。 a) 图3 (a)单通道检测,(b)多通道检测 (1)单通道检测和多通道检测 如