真空压力浸渍炉技术方案.docVIP

PAGE Ⅰ 真空压力浸渍炉技术方案 单位：技术部 编制：刘可启 审核：罗 俊 2013年1月 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u 1设备用途 1 2现有设备优缺点及解决方案 1 3设备主要技术参数 2 4设备主要组成及原理 2 4.1主机 3 4.2气体系统 3 4.3 真空系统 3 4.4 冷却系统 3 4.5 液压驱动系统 3 4.6 电气系统 3 4.7电加热系统 4 4.8 平台 4 5设备主要工作流程 4 6设计开发可行性分析 4 6.1 设计资质的获取 4 6.2 制造资质的获取 5 7设计开发流程及时间节点 8 8设计开发人员分工 8 9问题的解决 9 真空压力浸渍炉技术方案 共 9 页 第 PAGE 1 页 真空压力浸渍炉技术方案 1设备用途 真空压力浸渍炉是为了适应纤维增强和颗粒增强复合材料的生产而研制的一种专用设备，用于金属基复合材料的研究和生产。现我公司主要利用其进行铝基碳化硅基板的试验和制备。 2现有设备优缺点及解决方案 经过一段时间的跟踪和现场了解，以及与操作者交谈，发现现有设备基本满足铝基碳化硅基板的试验和制备要求，但产能不足，有如下优缺点： 2.1优点： 结构紧凑、操作方便、安全可靠、工艺参数可调并数字显示。 2.2 缺点： 2.2.1坩埚偏小，盛装铝容量受限，生产率不高，产能低； 2.2.2送气装置为气瓶，压力下降快。 2.2.3所配增压气泵效率低，达不到铝碳化硅产品工艺要求，目前已改造用来灌装集中余气。 2.2.4 保养维护较困难，必须要全部拆开才能进行。 2.2.5 取料时炉壁余温高，有烫伤危险，可否设计坩埚自动升顶。 2.2.6 热电偶无法直接检测其温度是否准确，必须拆开后检测。 2.2.7加压气体为液氮，导致加压时冷却速度太快，导致铝液过早凝固，影响产品性能。 2.3解决方案 针对上述优缺点，我们经过内部讨论和研究，认为我们新设计的真空压力浸渍炉一定要紧紧围绕铝碳化硅基板制备的工艺要求进行设计，发扬和继承现有设备的优点，解决现有设备存在的不足和缺点，方能比现有设备的性能有所提高，更适应铝碳化硅基板的生产。经过分析讨论，有如下解决方案： 2.3.1 加大容器容积以解决坩埚太小的问题； 2.3.2 送气装置管路上加装集中式阀门和压力表，集中供气； 2.3.3 采用大功率增压泵的提高增压效率； 2.3.4 在供气管路上设计加热装置，为气体加热，降低冷却速度，延长铝液凝固时间。 2.3.5 其余缺点暂无有效的解决方案，留待后续改进。 3设备主要技术参数 根据上述指导思想，我们确定了真空压力浸渍炉需要达到的主要技术参数，并与现有设备对比如下： 表1 主要技术参数对比表 序号 主要技术参数 现有设备 新设计 1 最高工作压力（MPa） 12 12 2 熔化室最高工作温度（℃） 1000 1000 3 浸渍室最高工作温度（℃） 1000 1000 4 熔化室尺寸（mm） φ250×300 φ400×300 5 浸渍室尺寸（mm） φ250×400 φ400×400 6 极限真空度（Pa） ≤10 ≤10 7 工作介质纯度（氮气、氩气） ≥99.999% ≥99.999% 8 控温精度（℃） ±5 ±5 9 升温时间（h） ≤2 ≤2 10 加料方式 上装料 上装料 11 整机重量(吨) 5.5 10 12 冷却水流量（m3/h） 8.5 10 13 整机安装面积（m2） 25 40 供电电源：AC380V，50HZ，三相五线制，~240KW； 4设备主要组成及原理 设备主要由主机、气体系统、真空系统、水冷系统、液压驱动系统、电气系统、电加热系统、平台等组成。主机示意图如下： 图1 设备主机示意图 4.1主机 主机是设备的主体，由缸体、上下塞组件、上下卡套、缸盖操纵器、升降气缸、上下隔热屏、上下发热体、热电偶、炉座等组成。上下塞与芯筒之间由卡套连接，承受轴向载荷。 4.2气体系统 气体系统作用是向缸体内提供气体；实现向缸体内运气、洗炉、加压、保压等功能。气体系统由高压、低压两部分组成。高压为工作介质部分，由气瓶、气动阀件、安全阀、高压管路、压力传感器、隔膜式压缩机等组成，用于压力浸渍。高压部分设有压力数字显示、压力指针显示两种方式和超压报警、超压自动卸压及爆破阀超压爆破卸压功能，以实现压力的自动控制和设备的安全保护。低压为控制气路部分，有气源、减压阀、电磁阀组、气缸等组成，用于实现自动卸荷、坩锅升降等功能。 4.3 真空系统 真空系统由真空泵、罗茨泵、真空管路、真空阀、真空特规管等组成。真空系统的作用是在加热前或加热过程中对加热炉进行抽真空，以实现炉内清洗和