薄膜的化学气相沉积.pptVIP

第四章 薄膜材料的制备方法 ——化学气相沉积 化学气相沉积（CVD）技术 化学气相沉积技术：利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应的途径生产固态薄膜的技术 优点：沉积速率高、膜层的均匀性好、具有优异的台阶覆盖性能、适宜在复杂形状的基片上镀膜 化学气相沉积（CVD）技术 按照机理化学反应的方式分类： 热CVD：通过加热基片或器壁促进化学反应生长薄膜 等离子体CVD：利用等离子体来增强反应气体的化学活性，从而促进薄膜生长 光CVD：利用光辐照的能量促进气象物质的分解进行反应生长薄膜 一、化学气相沉积涉及的 化学反应类型 1. 热解反应 许多元素的氢化物、羟基化合物和有机金属化合物可以以气体存在，并且在适当的条件下会在衬底上发生热解反应生成薄膜。例如：SIH4热解沉积多晶硅和非晶硅的反应 2. 还原反应 许多元素的卤化物、羟基化合物和卤氧化物等虽然也可以以气态存在，但是他们具有相当的热稳定性，因而需要采用适当的还原剂才能置换出来。如：利用H2还原SiCl4制备单晶硅外延层的反应 一、化学气相沉积涉及的 化学反应类型 3. 氧化反应 与还原反应相反，利用O2作为氧化剂对SiH4进行的氧化反应为： 还可以利用下式实现SiO2的沉积： 一、化学气相沉积涉及的 化学反应类型 4. 化合反应 只要所需物质的反应先驱物可以气态存在，且具有反应活性，就可以利用化学气相沉积的方法沉积其化合物。如： 一、化学气相沉积涉及的 化学反应类型 5. 歧化反应 对于某些元素，具有多种气态化合物，且稳定性各不相同，外界变化可促使一种化合物转变为稳定性高的另一种化合物。则可利用歧化反应实现薄膜的沉积。如： 可形成变价的卤化物的元素有Al、B、Ga、In、Si 、Ti、Zr、Be、Cr 一、化学气相沉积涉及的 化学反应类型 6. 可逆反应 与气化反应类似，利用某些元素的同一化合物的相对稳定性随温度变化的特点实现物质的转移和沉积。如： 一、化学气相沉积涉及的 化学反应类型 7. 气相输运 当某一武装的升华温度不高时，可以利用其升华和冷凝时的可逆过程实现其气相沉积。如： 在沉积装置中，处于较高温度T1的CdTe发生升华，并被气体夹在沉积装置中，处于较低温度T2的衬底上发生冷凝沉积。 一、化学气相沉积涉及的 化学反应类型 二、化学气相沉积的基本装置 反应气体和载气的供给和计量装置 毕业的加热和冷却系统 反应产物气体的排除装置 二、化学气相沉积的基本装置 高温和低温CVD装置 低压CVD（LPCVD）装置 等离子体增强CVD（PECVD）装置 激光辅助CVD装置 金属有机化学物CVD（MOCVD）装置 二、化学气相沉积的基本装置 高温和低温CVD装置 二、化学气相沉积的基本装置 低压CVD（LPCVD）装置 工作压力低于0.1MPa 降低工作室压力可以提高反应气体和反应产物通过边界层的扩散能力。 降低工作室压力会使衬底表面边界层厚度增加（3-10倍）但气体流速提高，导致反应气体扩散系数提高（三个数量级）。 为部分抵消压力降低的影响，可以提高反应气体在气体总量中的浓度比 二、化学气相沉积的基本装置 等离子体增强CVD（PECVD）装置 二、化学气相沉积的基本装置 等离子体增强CVD（PECVD）装置 二、化学气相沉积的基本装置 激光辅助CVD装置 二、化学气相沉积的基本装置 金属有机化合物CVD（MOCVD）装置 三、化学气相沉积的气体输运特性 流动气体的边界层及影响因素 三、化学气相沉积的气体输运特性 流动气体的边界层及影响因素 三、化学气相沉积的气体输运特性 流动气体的边界层及影响因素 三、化学气相沉积的气体输运特性 扩散和对流 扩散现象可以用菲克定律描述 气体中的扩散系数D应与气体的温度和总压力有关 菲克第一定律 对于厚度为δ的边界层， 三、化学气相沉积的气体输运特性 扩散和对流 降低工作室总压力p（但保持反应气体的分压力pl）虽然会加大边界层厚度，但同时会提高气体的扩散系数，因为有利于提高气体的扩散通量，加快化学反应进行的速度。（例如：低压CVD就是采用了降低工作室压力的方法来加快气体扩散和促进化学反应的进行） 三、化学气相沉积的气体输运特性 扩散和对流 对流是在重力等外力推动下的宏观气体流动。 四、化学气相沉积的薄膜生长动力学 四、化学气相沉积的薄膜生长动力学 生长速度的一致性 沉积速度随距离的增加呈指数趋势下降 提高沉积均匀性的措施 提高气体流速和装置尺寸 调整装置内的温度分布，进而影响扩散系数的分布 改变衬底的放置角度，可强制提高气体的流动速度。 四、化学气相沉积的薄膜生长动力