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* * * State Key Lab of Silicon Materials 拉晶教程 1.单晶的制造方法 1. 直拉法 （切克劳斯基法、CZ法）：利用旋转着的籽晶 从坩埚中的溶液提拉制备出单晶的方法 课程的主要内容 2. 区熔法 （FZ法） ：采用高频率线圈从外围来加热溶解多晶棒，在与籽晶接触后移动线圈的方法制取单晶。  2. 硅单晶的生长 图1 单晶生长装置概略图 2.1 硅单晶的生长装置 · 机械部分 · 电气部分 （1）硬件方面 1.在单晶旋转的同时能上拉 2.软轴驱动部、坩埚移动驱动部 的构造能耐高重量负荷 3.坩埚旋转的同时能够上下移动 4.耐减压、耐高温的构造 5.装置要密封，无漏气等 6.在停电、地震等非常情况有安全对策功能 (2)软件方面 1.在输入工艺数据后，能自动控制各流程； 2.在单晶等晶过程中具备直径控制、拉晶速度控制的功能。本控制的程序块图表如图2所示 图2 单晶直径控制和拉速控制程序模块 2.2 拉晶工艺过程 图3 拉晶基本流程 1） 拆 炉 准备拆炉用品：1.耐高温手套 2.酒精（无水乙醇） 3.无尘布 或绸布（可重复使用） 4.台车 5.穿好工作服，戴好口罩等 注意事项：1.清理干净（沉积的硅化 物及积硅）2.检查石墨件的使用情况（裂纹，变形，螺丝松动等）3.安装热场要均匀，对称 4.取光孔要对准 2） 装料、熔料 3） 籽晶与熔硅的熔接 a. 温度的稳定（装料量越大，所需时间越长）b. 籽晶的预热（减少籽晶与熔体的温度差，从而减少籽晶中产生的热应力） a. 石英坩埚的检查及安装（是否有孔、气泡、黑点、气泡群或划伤等） b. 多晶硅的安装注意点 c. 掺杂 （确认与工艺单上一致） 4） 引晶 a. 排除籽晶中的位错b. 拉速1-5mm/min 直径3-5mm 长度80-150mm 5） 放 肩 a.减慢提拉速度 （0.5mm）  b.降低溶液温度 （140-160） 6） 转 肩 a.接近预定目标直径时，提高 拉速 (提至150mm/h）  b.为保持液面的不变，转肩时或转肩后应开启埚升 7） 等径生长 a.达到目标直径时，能实现直径的自动控制 b.保持晶体的无位错生长 ·温度梯度（轴向、径向温度梯度不能过大） · 难熔固体颗粒、炉尘（坩埚中的熔体中的SiO挥发后，在炉膛气氛中冷却混结成的颗粒）、坩埚起皮后的脱落物等方法：1.调整热场的结构和坩埚在热场中的初始位置，可改变晶体中的温度梯度 2.调节保护气体的流量、压力，调整气体的流向，可以带走挥发物SiO和有害杂质CO气体，防止炉尘掉落 c.无位错单晶的判断（111晶向、100晶向） 8） 收 尾 （防止位错反延） a.逐步缩小晶体的直径直至最后缩小成为一点 ·提高拉速 ·升高温度 b.位错反延的距离大约等于生长界面的直径 c.影响单晶的成品率 9） 冷 却 停止石墨加热器的加热，使单晶冷却，此时单晶处于急速冷却状态，需调整冷却速度，防止单晶产生缺陷（内裂，冷却提速60-80mm，后可减至200mm） 冷却时间 ·单晶直径 ·剩余埚底料 2.3 拉晶条件和单晶特性 a. 晶面 （由籽晶的晶面决定） b. 导电型 代表性掺杂物和导电型 P型掺杂 B（硼） （铝镓铟） N型掺杂 P（磷），Sb（锑），As（砷） c. 电阻率 单晶在固化时出现掺杂剂的偏析现象，单晶头尾电阻率的变化趋势  降低比例视掺杂剂的分凝系数而定。（杂质浓度与电阻率反比） B 0.8 P 0.35 As