晶体生长机理及其培养.pptVIP

合成晶体 2013.5.16 一、从天然晶体到人工晶体 晶体：构成物质的原子、分子 在空间作长程有序的排列，形 成具有一定的点阵结构的固体。 所谓长程有序就是由一些相同的质点（基元）在空间有规则地作周期性的无限分布。即至少在微米级的范围内是有序的排列。这些质点代表原子、离子、分子或基团。 晶体分成天然晶体和人工晶体 古代制盐术 国外最早由文字记载 的人工合成晶体工作 是1540年，勃林古西 欧首先详细记录了硝 石的滤取及其重结晶提纯的过程。 中国的晶体生长工作可追溯到一千多年以前，宋代程大昌所著《演繁露》记载道：“盐已成卤水，暴烈日，即成方印，洁白可爱，初小渐大，或数千印累累相连。”这就是用蒸发法从过饱和溶液中中生长食盐晶体的方法。 1.晶体应用和人工晶体的发展 当物质以晶体状态存在时，将表 现出其它物质状态所没有的优异 的物理性能，因而是人类研究固态物质的结构和性能的重要基础。 由于能够实现电、磁、光、 声和力的相互作用和转换， 晶体还是电子器件、半导体器件、固体激光器件及各种光学仪器等工业的重要材料。 被广泛地应用于通信、宇航、医学、地质学、气象学、建筑学、军事技术等领域。 2.人工晶体的分类 二、晶体形成的科学 1.相变过程 1. 从熔体中结晶 当温度低于熔点时，晶体开始析出，也就是说，只有当熔体过冷却时晶体才能发生。如水在温度低于零摄氏度时结晶成冰；金属熔体冷却到熔点以下结晶成金属。 由液相转变为固相 从溶液中结晶 当溶液达到过饱和时，才能析出晶体。主要有以下几种方式： 温度降低，由于一般溶质的溶解度随温度的降低而降低，逐渐析出，也叫冷却过饱和溶液法。 溶剂蒸发，也叫自然挥发法。是指饱和或不饱和溶液中，随着溶剂的挥发，溶质逐渐析出。 通过化学反应，生成难溶物质。 由气相转变为固相 从气相直接转变为固相的条件是要有足够低的蒸汽压。在火山口附近常由火山喷气直接生成硫、碘或氯化钠的晶体。雪花就是由于水蒸气冷却直接结晶而成的晶体。 由固相再结晶为固相 ① 同质多相转变：所谓同质多相转变是指某种晶体，在热力学条件改变时转变为另一种在新条件下稳定的晶体。它们在转变前后的成分相同，但晶体结构不同。 ② 由固态非晶质结晶：火山喷发出的熔岩流迅速冷却，固结为非晶质的火山玻璃。这种火山玻璃经过千百年以上的长时间以后，可逐渐转变为结晶质。 2.晶核的形成(晶体的发生) ②晶体的成长。 晶核(亦称晶芽): 是晶体生长最原始的胚胎(生长 点), 是极微小的微晶粒，是晶体成长的中心。 外来晶核，非自成的。例如人工合成水晶，就是在溶液 中放入一个石英晶粒(籽晶)作为晶核。 当过冷却或过饱和度很高时,产生的晶核数目多; 反之则少. 晶体形成全过程包括两个阶段 形成晶核的条件 自发晶核(质点聚合) ①溶液过饱和 ②熔体过冷却 ①形成晶核。 3.晶体的成长 实际上是晶核形成后，质点按格子构造规律在晶 核上不断地堆积过程。 晶体生长的两种主要理论： 1. 层生长理论: 要讨论的关键问题是: 在一个面尚未生长完全前, 在这一界面上找出最佳生长位置。 晶体理想生长过程中质点堆积顺序的图解 1 2 3 位置1-三面凹角;位置2-两面凹角;位置3-一般位置 图表示质点往晶芽上堆积时，在其表面只有三种可能的堆 积位置1、2和3, 分别称为三面凹角、两面凹角和一般位置.每 种位置上因成键数目不同, 新质点就位后的稳定程度亦不同。 因此，最佳生长位置是三面凹角位，其次是两面凹角位, 最不容易生长的位置是平坦面。 这样，最理想的晶体生长方式就是:先在三面凹角上生长 成一行，以至于三面凹角消失，再在两面凹角处生长一个质 点，以形成三面凹角，再生长一行，重复下去。 位置 最近质点间的成键数 新质点就位后的稳定程度 1-三面凹角 2-两面凹角 3-一般位置 3 (释放出能量最大) 2 (释放出能量较大) 1 (释放出能量最小) 最稳定(最有利的生长位置) 次稳定(次有利的生长位置) 不稳定(最不利的生长位置)