旋涂法制备碳纳米管阴极及其场发射.docVIP

旋涂法制备碳纳米管阴极及其场发射 性能的测试 钱开友，颜丙勇，王芸，叶枝灿，徐东，蔡炳初 薄膜与微细技术教育部重点实验室， 微米/纳米加工技术国家级重点实验室， 上海交通大学微纳米科学技术研究院，上海200030 【摘要】：采用Y2O3和Ni作催化剂，在H2和He混合气体气氛下通过弧光放电法得到高纯度的单壁碳纳米昔。在用热氧化提纯法对高纯度碳纳米昔产物进行进一步提纯后，用这种碳纳米昔粉末与酒精配制成悬浮液，通过旋涂、十燥、退火等工艺得到碳纳米昔阴极薄膜。I-V测试表明用该法得到的碳纳米昔薄膜具有良好的电子场致发射性能。 【关键词】旋涂法； 弧光放电法； 碳纳米管； 场发射 1引言 自从1988年第一届真空微电子国际会议(IVMC)正式确立真空微电子学的概念以来，采用场发射冷阴极材料作为先进微电子器件的电子发射源的研究受到了人们的广泛关注。目前场发射冷阴极的研究与应用主要集中在碳基材料包括金刚石、类金刚石(DLC)和碳纳米管(CNTs)等领域，尤其是CNTs由于其独特的纳米结构和表现出的优良场发射性能，已引起了人们的广泛研究兴趣，其作为新一代场发射冷阴极的研究当前相当活跃. 目前制备CNT、的方法有很多种，但用CNT、来制备场发射阴极薄膜，到目前基木上只有两种方法:化学气相沉积法和丝网印刷法前者是目前应用最广泛的，最易实现大规模生产的一种制备的方法。一般采用铁，钻，镍及其合金作催化剂，乙炔，甲烷，丙烯等碳源，在稀释气体和高温下催化裂解产生自由碳原子沉积形成CNTs。为更有效地合成CNTs，还采用等离子体加强(PECVD )或微波辅助(MPCVD)的方法来保持碳原子均匀分布。这种方法对设备和工艺都提出来了一定的要求。后者一般用于需要场发射阴极区域较大的场合如场发射显示器(FED)，而对需要场发射阴极区域尺寸较小时就无能为力了，并且其中涉及的CNT、浆料成份及其配比等工艺直接影响CNTs的场发射性能。对于这部分的具体工艺，掌握起来也有相当的难度。出于以上的原因，同时考虑进一步在实际器件的应用，我们研究了采用旋涂法将电弧放电法得到的SWNT、来制备场发射阴极并测定其场发射性能。 2实验 大批量制备CNTs的方法有两种:弧光放电法和CVD法。我们采用的是弧光放电法。电弧放电法是最早用于制备CNT、的方法，也是最主要的方法之一。最初用弧光放电法制备CNT、时所用两个电极都是纯石墨，用这种方法得到的CNT、一般是多壁(MWNTs )。后来人们采用金属氧化物作填充物也得到了单壁碳纳米管SWNTs。 SWNTs管的质量和产量主要与所用自由化剂有关。 我们采用弧光放电法制备SWNT、的设备主要由电源、石墨电极、真空系统和冷却系统组成。经优化的制备工艺如下:用两个直径为6mm石墨棒作电极，一个固定作阴极，另一个可移动作阳极。阳极石墨棒中央iii有一直径为4mm的孔，填入石墨. Y2O3和Ni粉，重量比为C:Ni:Y2O3 =2:2:1。工作时先将电弧室抽真空C - 10- Pa)，再充入惰性气体He和H. (50:1)，压强为6.7 x 100Pa。放电电压和电流保持在50 V和95A。两个电极逐渐靠近，使电极间起弧，电极间等离子区温度很高，使得碳得以升华。由于阳极不断消耗，必须不断移动阳极以保证两极间距恒定为lcmo 在对产物提纯的过程中，考虑到我们得到的是纯度较高的SWNTs，与MWNT、不同的是它们很容易在提纯中被破坏，我们采用了文献介绍的方法:即350℃热氧化加浓盐酸冲洗的方法。在充分洗净SWNT、后与酒精混合超声使其分散。然后用吸管将这种SWNTs悬浮液，滴在低阻硅:= O.OO55 3结果 我们采用自行设计的一种简中一而又实用的二极管结构来测试电子场发射性能，测试装置如图1。螺旋测微头可以上卜带动阳极自由移动，测试样品放在带有金属引线的底座上，为了避免阴阳极引线短路，两者互相错开。阴阳极之间用150um厚的陶瓷片(厚度可控)绝缘。测量时只要旋转测微器，将阴阳极压紧，即可精确控制阴阳极之间距离，同时每次换样品时也相当方便。测量时真空室的真空冷达10-4Pa. 弧光放电法制 CNT、完成后，打开放电腔室我们发现在阴极壁上、腔室上部、腔室底部以及腔室中间金属网上均有黑色沉积物。对这几种产物进行了对比研究，结果表明位于腔室内部金属网上旱薄絮状的沉积物含CNTs量最高，杂质含量最少。图2为这种产物的SEM照片，可以看出CNTs直径很细，杂质较少。我们还进一步对其进行了Raman分析，图3是其Raman光谱。分析仪器为德国BRCKER公司制造的RFS100/S激光Raman光谱仪，所采用的激光线是Nd:TAG激光器的1064nm激光线。从图3可以看出Raman光谱中存在着两