第四章 光电器件.pptVIP

p-i-n光电二极管 p-i-n光电二极管是最常用的光探测器之一，其有效作用区域是存在有电场的i型层，光生载流子有效区域增大，扩散影响就会减弱，结电容也大大减小，光检测灵敏度和响应速度得到提高。绝大部分入射光在i层被吸收并产生大量电子-空穴对。其耗尽区厚度(本征层)可予调制以优化量子效率及频率响应。 图(a)是p-i-n光电二极管的截面图，它具有抗反射层以增加量子效率的特性。 图(b)、(c)分别是反向偏压条件下，p-i-n二极管的能带图及光吸收特性。半导体吸收光之后会产生电子-空穴对。在耗尽区或其扩散长度内的电子-空穴对终会被电场所分开，导致载流子漂移出耗尽层而产生外部电路电流。 光电二极管 u h 金属接触 2 SiO 抗发射层 i + n + p L R R V + - u h 金属接触 2 SiO 抗发射层 i + n + p L R R V + - u h u h u h R qV C E V E 电子扩散 空穴扩散 漂移空间 反向偏压下的能带图 ) ( b u h u h u h R qV C E V E 电子扩散 空穴扩散 漂移空间 反向偏压下的能带图 ) ( b x a - e ~ a / 1 P W W W + P x 吸收 载流子吸收特性曲线 ) ( c x a - e ~ a / 1 P W W W + P x 吸收 载流子吸收特性曲线 ) ( c 光