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宽频抗电磁干扰材料和应用研究 作者：I来源：丨浏览：10［录入者:designer | 时间: 作者：I来源：丨浏览：10 宽频抗电磁干扰材料和应用研究 摘要:本文就各种抗电磁T扰材料(EMI)、抗电磁T扰滤波器进行了全面的分 析。对近期研制的新型复合抗电磁干扰材料，纳米抗EMI材料，六角抗EMI 材料、多层片式滤波器(MCLF)中使用的低温烧结NiZnCu铁氧体材料，以及片 式电感的制作工艺难点以及多层片式滤波器进行了大量的理论和实验研究，提出 了解决的途径。 一、引言 电磁干?扰(EMI： Electro-Magnetic-Interference)是指不需要的电磁信号或噪声信 号等对需要的电磁信号的干扰。在如今电子信息时代，随着信息高速公路、卫星 通信、移动通信、计算机应用等的高速发展，电磁T?扰(EMI)在军事和民用电子 信息领域的影响越來越严重，对公共环境和人身安全以及军事保密、安全造成了 很大的危害。H前强制性的电磁兼容标准(EMC)已经在世界范围内执行，一些 发达国家在电磁兼容设计技术、材料技术、元器件技术等方面从70年代就开始 研究，并形成一系列的标准加以应用。我国已于1998年底宣布执行电磁兼容标 准。但我国在此方面的研究起步较晚，在技术以及产品方面严重落后于发达国家, 因此，对抗EMI材料和技术进行研究，自主研制开发我国的抗EMI器件己是势 在必行。电磁兼容问题涉及面很宽，其核心是设法减少口身产生的电磁干扰和提 高抗电磁干扰的能力。目前在屯子设备和系统中通用的电磁兼容设计技术有接 地、屏蔽、滤波三种，通常称Z为抑制电磁干扰的三大技术。接地是将干扰信号 引入接地端；屏蔽是利用屏蔽体来阻挡或衰减T扰信号的电磁传输；滤波是阻止 干扰频率信号通过而允许有用频率信号通过的一种技术。在这三种技术屮，滤波 技术是FI前抑止电磁干扰最常见、最有效、最经济的一种手段。运用的方法也非 常简单，在电气设备电源线的入口处插入抗EMI滤波器，滤波器町以把通过电源 线传导的电磁干扰信号给予充分地抑制，换而言Z,它既能抑制电气设备内部产 生的电磁干扰，乂能抑制外界电网传入的电磁T扰。 美国在70年代就开始了铁氧体抗电磁干扰材料的研制，H前已能生产各类抗电 磁干扰材料和器件。美国陶瓷?磁性公司主要产品集中在NiZn铁氧体材料上，通 过铁氧体的复数磁导率与频率的关系，改变不同成分配方及掺杂来实现铁氧体阻 抗的频率特性和衰减频域;制成宽频域抗EMI铁氧体材料和各种滤波器。美国 STEWARD公司，FILTER CONECPTS公司分别研制成功14个系列和4个系 列的抗EMI软磁材料，并应用于IBM公司、ZENITH公司和MOTOROLA公司 的各种微型计算机、数字设备以及ATT信息系统，取得了良好的效果。同时， 也大量用于军用电子装备上，便其更加完善。丨I本TDK公司有5大类抗EMI材 料研制成功，也主要用于PC联网、数字设备屮。富士公司则集屮于MMIC及 IC用抗电磁干扰滤波器材料及器件的开发。 国内在此方面的起步较晚，始于80年代。主要在软磁铁氧体材料和器件方面进 行了大量的研究。电子科技大学，9所，国营899厂己合作开发出抗EMI材料6 种、元器件5个系列，并初步解决了纳米品软磁抗EMI材料的内层耦合及绝缘 问题，使纳米晶软磁材料在抗EMI屮得到有效应用。其他如东洋公司等单位也相 继开发出系列产品并有了应用。现在国内市场上已有部分抗EMI材料、抗EMI 元件、抗EMI滤波器面世。而用磁性和陶瓷材料制备的复合材料作为新型的抗电 磁干扰材料，国内外都已有了一定的理论探讨，国内电子科技大学也巳开发出复 合双性材料。 二、抗EMI材料的性能要求 作为抗EMI滤波器，要求衰减速度快，频带范围宽，同时应保证丁作频率范围内 信号不失真，能适应各种环境使用。这就对其磁芯材料提出了以卜?要求：第一， LC世，tt熨，T型抗EMI滤波器，要求高pi,高Bs。抗EMI滤波器的电感器尽 量减少匝数，以得到小的分布电容，改善高频性能，扩展频带范围。如果是作为 滤除较低频率的EMI信号或电源噪声滤波器使用时，磁导率要求更高(pi1500) 第二，低He,从而减小磁滞损耗；第三，高p,减小高频下涡流损耗；第四，高 u)c(fr),适当的截止频率，以展宽频段；第五，高Tc,以适应各类工作坏境；第 六,具有某一特定的损耗频率响应曲线，在需要衰减EMI信号的频段内损耗较大, 足以把EMI衰减到最低电平，而在需要传输信号的频段内损耗较小，信号容易通 过。不过，磁芯性能与其工作频率关系极大，而电磁波干扰信号的频率范国乂相 当宽，现在完全能满足上面六条要求的磁芯材料还没有。冃前主要开发的抗EMI 滤波器材料系列主耍分为铁氧体系列、纳米品软磁系列，六角Co2Z系列，复合 双性系