第4讲半导体基础关知识-场效应管.pptVIP

讨论场效应管的工作原理就是： 讨论栅-源电压VGS对漏极电流ID（或沟道电阻）的控制作用； 讨论漏-源电压VDS对漏极电流ID 的影响。 * 概 述 第三章 场效应管 参考书籍： 谢嘉奎《电子线路》线性部分 1. 场效应三极管概念及特点 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 D S G N 符号 2.结型场效应管 一、结构 图 1.4.1　N 沟道结型场效应管结构图 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 P 沟道场效应管 图 1.4.2　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S 二、工作原理 N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的。 G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 *耗尽层的宽度改变主要在沟道区。 　　1. 设UDS = 0 ，在栅源之间加负电源 VGS，改变 VGS 大小。观察耗尽层的变化。 ID = 0 G D S N型沟道 P+ P+ (a) UGS = 0 UGS = 0 时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽 |UGS| 由零逐渐增大，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。 当 UGS = UGS(OFF)，耗尽层合拢，导电沟被夹断，夹断电压UGS(OFF) 为负值。 ID = 0 G D S P+ P+ N型沟道 (b) UGS 0 VGS ID = 0 G D S P+ P+ (c) UGS = UGS(OFF) VGS 　　2. 当UGS 为UGS(OFF)～0中某一固定值时，在漏源极间加正向 VDS，观察VDS对漏极电流ID 的影响。 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG （1） UDS = 0，ID =0。 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG （2）UDS , UGD ﹥ UGS(OFF), ID更大 （3）UDS ,UGD = UGS(OFF), 预夹断 （4）UDS ,UGD ﹤UGS(OFF), ID几乎不变 　　3. 在漏源极间加正向 VDS，使 UDS 0，在栅源间加负电源 VGG，观察 UGS 变化时耗尽层和漏极 ID 。 UGS = 0，UGD ﹥ ，ID 较大。 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG UGS 0，UGD ﹥ ， ID 较小。 G D S N IS ID P+ P+ VDD 　　注意：当 UDS 0 时，耗尽层呈现楔形。 (a) (b) G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG UGS 0,UGD = UGS(OFF), ID更小, 预夹断 UGS ≤U GS（OFF）,UGD ﹤ UGS(OFF),ID ? 0,夹断 G D S IS ID P+ VDD VGG P+ P+ 特点:(1) 改变 UGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 ID ，故称场效应管； (2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。 (c) (d) 三、特性曲线 1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例) O UGS ID IDSS UGS(OFF) 图 1.4.6　转移特性 UGS = 0 ，ID 最大；UGS 愈负，ID 愈小；UGS = UGS(OFF)，ID ? 0。 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID) 夹断电压 UGS(OFF) (ID = 0 时的 UGS) UDS ID VDD VGG D S G V ? + V ? + UGS 图 1.4.5　特性曲线测试电路 + ? mA 1. 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 图 1.4.6　转移特性 2. 输出特性 　　当栅源 之间的电压 UG