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第七章 双极型晶体管 7.1 概述 与CMOS工艺相比，双极型晶体管工艺的优势在于能够实现一些MOS管难以实现的精确模拟功能，其具有更快的速度、更高的跨导，更优越的器件匹配性能，更精确的对温度不敏感的电压，而这些特性都是高性能模拟电路所需要的。 双极型晶体管的版图设计比MOS管要复杂，其有些失效机制在CMOS层次根本不存在，因而现在模拟集成电路更多倾向于CMOS设计。 7.2发射极电流集边效应 发射极电流集边效应 这种效应是因为NPN晶体管的基极电阻引起的，包括发射区正下方基区的横向扩散电阻和发射区正下方以外基区横向电阻，因为基极电流是在基区中横向流动的，在此基极电阻上将产生电压降，这就使得发射区正下方基区中各点的电位不一样，即在发射区靠近基区边缘处的电位较高，距离基区越远电位就越低，发射结面上各点的注入电流密度也就不同，靠近基区边缘的电流密度较大，即发射极电流基本上都集中到了发射结的靠近基区的一侧。 发射极电流集边效应 在设计NPN晶体管版图时，增加发射区面积并不等效于发射极电流同比增长，应该从增加发射极周长角度，也就是增大发射区周长与面积的比值。 采用梳状版图结构，其每个齿条应又细又长，考虑到发射极上的金属存在电阻，因此齿条形的发射极也不能过长过细。 7.3 双极型晶体管的分类与版图 7.3.1 标准双极型工艺NPN管 7.3.2 标准双极型工艺衬底PNP管 7.3.3标准双极型工艺横向PNP管  7.3.4 BiCMOS工艺晶体管  7.4双极型晶体管版图匹配规则 7.4双极型晶体管版图匹配规则 7.4双极型晶体管版图匹配规则 * * 发射极电流集边效应所造成的直接后果就是使得发射极电流集中到边缘，从而减小了发射结的有效面积。 1.NPN管 2.横向PNP管 3.衬底PNP管 4.高电压双极型晶体管 5.超βNPN管 标准双极型工艺可以实现： NPN晶体管包括重掺杂的发射极（发射区重掺杂可以提高注入效率）、厚而且轻掺杂的N型外延层、重掺杂的N型掩埋层（N+ Beried layer）和深N+侧阱。 （a）集电极－发射极－基极 （b）集电极－基极－发射极 (b)版图中发射区与集电区接触更加接近，集电极的电阻较小，因此在其它条件都相同的情况下，(a)版图设计方案要略微优于(b)版图设计方案。 由于存在接触孔电阻，在设计发射区版图时，为 尽可能降低发射极电阻，发射区接触孔最好覆盖 发射区，以形成多个电阻并联的方式，从而降 低电阻。 为保证均匀横向电流的流动，发射区扩散各个边 缘 超出接触孔的大小相同。 为避免横向穿通，应使基区扩散充分地覆盖发射 区。 多打基区接触孔，以降低晶体管的基极电阻。 设计NPN晶体管版图要注意以下几点： 单基极条形 双基极条形 双基极双集电极 梳形 常用的NPN晶体管图形: 单基极条形的晶体管面积可以做得很小，有利于提高特征频率。但是由于是单基极条形结构，基极电阻较大，不利于提高晶体管的最高振荡频率及减小晶体管的噪声。该种版图设计主要适用于对电流要求不高，而特征频率较高的电路中。 单基极条形 双基极条形晶体管的有效长度大一倍，因而允许通过的最大电流也加倍。双基极条形结构的面积比单基极条形结构稍大一些，其特征频率稍微降低，但是基极电阻减半，所以最高振荡频率高于单基极条形晶体管。 双基极条形 和双基极条形结构相比，在发射区长和宽相同的情况下，允许通过的最大电流大致相同，基极电阻也基本相同。双基极双集电极版图的优点是集电极串联电阻减小，在数字集成电路中常采用该结构实现输出管的版图设计。 双基极双集电极 梳形 由于梳形版图结构的发射极周长增加了，同时其基极电阻也减小了，所以它最高振荡频率仍然可以做的很高，因此梳形版图能够很好的兼顾大电流和高频率特性。 集电区由P型衬底构成，基区为N型外延层，发射区对应NPN管的基区扩散，其制作工艺与NPN管完全兼容，且不需要多余掩膜层。衬底PNP管的电流放大倍数与特征频率虽然没有NPN管大，但都高于横向PNP管，且其耐压高，比较适合做电路的输出级。 因为衬底PNP管采用衬底作为双极型管的集电区，因此只能制作集电极接地的PNP管，但是与此同时，其不存在衬底的寄生晶体管效应，因此不需要掩埋层。 衬底PNP管版图 与衬底PNP管不同，其集电区不采用p型衬底，因此，必须要有掩埋层以减小衬底寄生PNP管效应。横向PNP管的基区由N型外延层构成，其发射区与集电区是与NPN管的基区扩散一同形成的。横向PNP管的开关速度和β值一般要比纵向晶体管低。 圆型横向PNP管的版图 圆形版图中所设计圆形都是采用多边形近似产生的，多边形的边数越多，就越趋于圆形，自然性能也就越好 。 圆型横向PNP管的