实验八模拟法测绘静电场.docxVIP

实验八模拟法测绘静电场 模拟法本质上是用一?种易于实现、便于测量的物理状态或过程模拟不易实现、不便测量 的状态和过程，要求这两种状态或过程有一一对应的两组物理s, a满足相似的数学形式及 边界条件。 -?般情况，模拟可分为物理模拟和数学模拟，对一些物理场的研究主要采用物理模拟（物 理模拟就是保持同一物理木质的模拟），数学模拟也是一种研究物理场的方法，它是把不同 本质的物理现象或过程，用同一个数学方程来描绘。对一个稳定的物理场，若它的微分方程 和边界条件一旦确定，其解是唯一的。两个不同本质的物理场如果描述它们的微分方程和边 界条件相同，则它们的解也是一一对应的，只要对其中一种易于测量的场进行测绘，并得到 结果，那么与它对应的另一个物理场的结果也就知道了。由于稳恒电流场易于实现测量，所 以就用稳恒电流场来模拟与其具有相同数学形式的静电场。 我们还要明确，模拟法是在实验和测量难以直接进行，尤其是在理论难以计算时，采用 的一种方法，它在工程设计中有着广泛的应用。 【实验目的】 本实验用稳恒电流场分别模拟长同轴圆形电缆的静电场、平行导线形成的静电场、劈尖 形电极和聚焦。具体要求达到： 1、 学习用模拟方法来测绘具冇相同数学形式的物理场。 2、 描绘出分布曲线及场量的分布特点。 3、 加深对各物理场概念的理解。 4、 初步学会用模拟法测量和研究二维静电场。 【实验仪器】 图1导电微晶静电场描绘仪GVZ-3型导电微晶静电场描绘仪（包抵导电微晶、双层固定支架、同步探针等），如图 所示，支架采用双层式结构，上层放记录纸，下层放导电微品。电极已直接制作在导电微晶 上，并将电极引线接出到外接线柱上，电极间有电导率远小于电极口?各项均匀的导电介质。 接通直流电源（10v） 图1导电微晶静电场描绘仪 【实验原理】 （一）模拟长同轴岡柱形电缆的静电场 稳恒电流场为静电场是两种不同性质的场，但是它们两者在一定条件下具有相似的空间分 布，即两种场遵守规律在形式上相似，都可以引入电位U,电场强度E = -V（/ ,都遵守高斯 定律。 对于静电场，电场强度在无源区域内满足以下积分关系： g￡dF=0 (fEd 产=0 S C 对丁?稳恒电流场， vj 电流密度矢量在无源区域内也满足类似的积分关系: 非? 非?dS =0 iE vj 由此可见 和v在各口区域中满足同样的数学规律。在相同边界条件下，具有相同的解析解。 因此，我们可以用稳恒电流场來模拟静电场。 在模拟呛条件店，要保证电极形状一定，电极电位不变，空间介质均匀，在任何一个考查点, 均应有静电二稳恒或E錚电=E稳恒。 下1何通过具体实验来讨论这种等效性。 1、同轴电缆及其静电场分布： 如图1(a)所示，在真空中有一半径为。的长圆柱形导休A和一内半径为巩的长圆筒形 导体B,它们同轴放置，分别带等暈异号电荷。由高斯定理炖，在垂口于轴线的任一?载而s 内，都有均匀分布的辐射状电场线，这是一个与坐标Z轴无关的二维场。在二维场屮，电场 强度E平行于xy平面,其等位面为一簇同轴圆柱面。因此只要研究S面上的电场分布即可。 (a) (b)图 (a) (b) 图1同轴电缆及其静电场分布 山静电场中的高斯泄理川知，距轴线的距离为r处(见图lb)的各点电场强度为 (1) 式中久为柱面每单位反度的电荷量，半径为r的任一点与外圆柱面间的电位差为: 两柱面间电位差为U J E§ 两柱面间电位差为 U J E § (3) 代入上式，得 In；U U 』r_ 0 . r… Tiba□ dU U 1E r 0 In； U U 』 r_ 0 . r … Tib a □ dU U 1 E r 0 (4) dr ￡ n (6) (7) h b t — 则半径为r到n之间的圆帘片的电阻，举 气= In； * a (5) 2、同柱圆柱而电极间的电流分布 若上述圆柱形导休八与圆筒形导体B之间充满了电导率为b的不肚导休，A、B与电源 E/ 正负极相连接（见图2），A, B间将形成径向电流，建立稳怛电流场可以证明不良导体 E/ 中的电场强度rA/原真空中的静电场Er是和等的。 取疗度为t的岡轴形同轴不良导体片为研究对象，设材料电阻率为。 任意半径r到r+dr的圆周间的电阻是: m dr dr dl =pg—s 二 p -2―- — 71 图2同轴电缆的模拟模型 r 总电阻为（半径口到b之间圆柱片的电阻） 因两圆林面间所加电压为则径向电流为 II 2 tIJ(10)(11) II 2 tIJ (10) (11) (9) 半径r处到外柱面的电位差为： r In： U /=1R =U = r % 十 a E， 则r为： dU/ u 1 L--==戸 n』 a U U/ E E / 由以上分析可见，「与「， 「与「的分布函数完全相同。为什么这两种场的分布 相同呢