传感器及自动检测技术教学课件作者宋宇第8章磁电传感器.pptVIP

图8一29 BCM磁敏三极管的磁电特性 返回 图8一30磁敏三极管的伏安特性 返回 图8一31磁敏三极管的温度补偿电路 返回 图8一32开磁路磁阻式传感器结构 返回 * 8. 3 磁敏电阻器 2.磁敏三极管 1)磁敏三极管的结构 磁敏三极管的结构如图8一27 ( a)所示。它是在高阻本征半导体材料I上用合金法或扩散法形成发射极、基极和集电极。其结构最大特点是基区较长，基区结构类似磁敏二极管，也有高复合率的r区和本征I区，发射区和集电区分别设置在它的上、下表面。磁敏三极管符号如图8一27 ( b )所示。 2)磁敏三极管的工作原理 当磁敏三极管未受到磁场作用时，如图8 -28 ( a)所示，由于基区长度大于载流子有效扩散长度，从发射极注入I区的电子在横向电场Ut,。的作用下，其电大部分与I区电的空穴复合形成基极电流，少数载流子输入到c.极，显然，这时基极电流大于集电极电流，使 上一页 下一页 返回 8. 3 磁敏电阻器 当受到正向磁场B+作用时，洛仑兹力使载流子向复合区:方向偏转，结果使注入集电区的电子数和流向基区的电子数的比例发生变化，原来进入集电区部分的电子改为进入基区，使基极电流增加，而集电极电流减小。又由于流入基区的电子经过高复合:区时大量地与空穴复合，使I区载流子浓度大大减小而成为高阻区。高阻区又使发射结上电压减小，从而使注入I区的电子数大量减少，导致集电极电流进一步显著减小，如图8 - 28(b)所示。 当受到反向磁场B一的作用时，载流子向集电极一侧偏转，使集电极电流增大，如图8一28 ( c)所示。 3)磁敏三极管的主要特性 (1)磁电特性 磁敏三极管的磁电特性是应用的基础。例如，国产NPN型3BCM锗磁敏三极管的磁电特性，在弱磁场作用下，曲线接近呈一条直线，如图8一29所示。 上一页 下一页 返回 8. 3 磁敏电阻器 (2)伏安特性 磁敏三极管的伏安特性类似普通晶体管的伏安特性曲线。图8一30 ( a)为不受磁场作用时的磁敏三极管伏安特性曲线，图8一30 ( b )是磁场为1 1 kGs，基极电流为3 mA时，集电极电流的变化。由图可知，磁敏三极管的电流放大倍数小于1。 (3)温度特性及其补偿。 磁敏三极管对温度比较敏感，实际使用时必须采用适当的方法进行温度补偿。对于锗磁敏三极管，例如3ACM,3BCM，其灵敏度的温度系数为0.8% /0c;硅磁敏三极管，如3CCM，其磁灵敏度的温度系数为一0. 6% /0C。对于硅磁敏三极管可用正温度系数的普通硅晶体管来补偿因温度而产生的集电极电流的漂移。具体补偿电路如图8一31 (a)所示。当温度升高时，普通晶体管VT集电极电流Ic增加，导致磁敏三极管VTm集电极电流Ic也增加，从而补偿了磁敏三极管VTm 上一页 下一页 返回 8. 3 磁敏电阻器 图8 -31 (b)是利用锗磁敏二极管R，电流随温度升高而增加的这一特性，使其作硅磁敏三极管VTm的负载，从而当温度升高时，弥补了硅磁敏三极管的负温度漂移系数所引起的电流下降的问题。除此之外，还可以采用两只特性一致、磁极相反的磁敏三极管组成的差分电路，如图8 -31 (c)所示。这种电路既可以提高磁灵敏度，又能实现温度补偿。它是一种行之有效的温度补偿电路。 4)开磁路磁阻式转速传感器 开磁路磁阻式转速传感器结构(见图8一32)比较简单，但输出信号较小，当被测轴振动较大时，传感器输出波形失真较大。线圈和磁铁部分都是静止的，与被测物连接而运动的部分是用导磁材料制成的，在运动电，它们改变磁路的磁阻，因而改变贯穿线圈的磁通量，在线圈电产生感应电动势。 上一页 返回 图8一1变磁 通式磁电传感器 返回 图8一2恒磁通式磁电传感器 返回 图8一3磁电式振动传感器的结构原理图 返回 图8一4霍尔效应示意图 返回 图8一5霍尔元件外形、结构及其符号 返回 图8一6线性霍尔集成传感器的电路结构 返回 图8一7开关霍尔集成传感器 返回 图8一8霍尔元件的基本测量电路 返回 图8一9霍尔元件的输出电路 返回 图8一10霍尔元件输出叠加连接方式 返回 图8一11霍尔式位移传感器 返回 图8一12霍尔式压力传感器 返回 图8一13霍尔转速表示意图 返回 图8一14汽车防抱死装置示意图 返回 图8一15霍尔式电流传感器外形 返回 图8一16电流测量原理 返回 图8一17位移测量原理 返回 图8一18角位移测量原理 返回 图8一19运动位置测量原理 返回 图8一20磁敏电阻器的结构 返回 图8一21 InSb磁敏电阻与特性 返回 图8一22磁敏电阻工作原理示意图 返回 图8一23磁敏电阻器的R一B特性 返回 图8一24锗磁敏二极管 返回 图8一25磁敏二极管的工作原理 返回 图8一26磁敏二极管漏磁探伤仪原理 返回 图8一27 PNP型锗