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第9章 光电器件 半导体器件物理 第9章 光电器件 Semiconductor Physics and Devices 半导体器件物理 第9章 光电器件 * 半导体激光和固态红宝石激光及氦氖气体激光比较： 共性：方向性很强的单色光束，谱线较LED的窄。 不同之处：半导体激光较其他激光体积小（长度~0.1mm）；在高频时易于调制，只需要调节偏压电流即可。 应用： 光纤通信中的光源，录像机、光学刻录机及高速激光打印机等。 基础研究与技术领域，高分辨率气体光谱学及大气污染监测等。 都具有直接禁带：动量守恒，辐射性跃迁几率较高，量子效率高。 波长涵盖范围：0.3μm~30μm。 砷化镓最先被发现可发出激光，相关连的Ⅲ-V族化合物合金。 激光半导体材料 9.3 半导体激光 第9章 光电器件 * 图(a)为基本p-n结激光（同质结激光），GaAs。沿着垂直于110轴方向劈成一对平行面，外加适当偏压时，激光就从这些平面发射出来（图中仅示出前半面的发射）。 二极管另外两侧加以粗糙化，以消除激光从这两侧射出的机会，此结构称法布里-波罗腔，典型腔长L约300μm，法布里-波罗腔结构广泛用在近代半导体激光器中。 基本的激光器结构 第9章 光电器件 * 图(b)是双异质结构（DH）激光，结构类似于三明治。有一层很薄的半导体（如GaAs）被另一种不同半导体（如AlxGa1-xAs）所包夹。 图(a)及