由正弦结构图产生的莫尔条纹各影响因素分析.pdfVIP

第 卷第 期 半 导 体 光 电 !! % !# $ !! % $ % 年 月 !% ! ’()*+,-.*/+0 12/+’3’*/0+,)*4 5’6 7 !% 文章编号： （ ） %% # $898 !% % # 9$ # : 由正弦结构图产生的莫尔条纹各影响因素分析 % ! % % 王学礼 ，李根乾 ，赵 宏 ，谭玉山 （ 西安交通大学 激光与红外研究所，陕西 西安 ； 西北工业大学，陕西 西安 ） %7 ;%: ! 7 ;%;! 摘 要： 莫尔技术以其特有的优点在光电三维面型测量中占有举足轻重的地位。正确理解 各种影响因素对莫尔条纹的影响，对莫尔技术的正确应用有着重要的指导意义。分析了由正弦结 构形成莫尔信息的几种方式，详细地研究了影响此种莫尔信息的几种因素———频率、相位、幅值、背 景光强、结构间夹角等。得出了一些有意义的结论，给出了正确应用莫尔信息的一般原则。 关键词： 三维测量；莫尔技术；正弦结构 中图分类号： =!:; 文献标识码： ? ’(#)*+* ’ ,--./0 - !(1+2* 3(/01* ’ 4+15 6’-17(0+’ % ! % % ， ， ， @?A B.’C3) DE A’,CF)G, HI?1 I+,J =? K.C4LG, （ ， ’ ， ’ ， ； %$ 8(*.1 9 6: 6’*0+020. ;+ (’ +(0’= ’+?.1*+0) ;+ (’ ;%: @A+’( ， ’ ， ） ! $ %10AB.*0.1’ C#)0./A’+/(# ’+?.1*+0) ;+ (’ ;%;! @A+’( D*01(/0： M+)0N /’*L,)F.’ 23GO4 G, )(2+0/G,/ 2G0/ ), +2/+ # ’3’*/0+,)* PQ (’G4.0’(’,/ 7 E/ )4 +R J0’G/ )(2+0/G,*’ /+ *+(20’L’,- /L’ ’RR’*/ +R SG0)+.4 RG*/+04 +, M+)0N ),R+0(G/)+, 7 =L’ G0/)*3’ G,G3O4’4 4+(’ )(2+0C /G,/ RG*/+04 4.*L G4 R0’F.’,*O， ， ， 2LG4’ 6G*TJ0+.,- 3)JL/ G(23)/.-’ G,- /L’ G,J3’ 6’/U’’, /L’ /U+ 4/0.*/.0’4 7 +(’ .4’R.3 *+,*3.4)+, G0’ +6/G),’- 6G4’- +, G6+S’ G,G3O4)4 7 ： ； ； E.) B1F* PQ (’G4.0’(’,/ M+)0N /’*L,)F.’ 4),’ 4/0.*/.0’ % 引言 用于散射物体的宏观轮廓测量。