现代电子材料与元器件介绍.pptVIP

3.4 半导体材料的制备工艺方法 溶液法 溶液法的基本原理是将原料（溶质）溶解在溶剂中，采取适当的措施造成溶液的过饱和状态，使晶体在其中生长。 (1)降温法：依靠溶液过冷以获得过饱和。适宜于溶解度和溶解温度系数大的溶体。 (2)恒温蒸发法：依靠相对提高浓度以获得过饱和。溶解温度系数较小或负温度系数的溶体，可以选用该方法。 3.4 半导体材料的制备工艺方法 溶液法 优点： 晶体可在远低于其熔点的温度下生长； 容易长成大块的、均匀性良好的晶体，并且有较完整的外形； 在多数情况下，可直接观察晶体生长过程，便于对晶体生长动力学的研究。 缺点 影响因素复杂； 生长速度慢，周期长，数十天～一年； 溶液法生长晶体对控温精度要求较高，温度波动一般小于0.01~0.001℃； 3.4 半导体材料的制备工艺方法 熔融法 从熔体中生长晶体是制备大单晶和特定形状的单晶最常用的和最重要的一种方法，电子学、光学等现代技术应用中所需要的单晶材料，大部分是用熔体生长方法制备的，如单晶硅，GaAs，LiNbO3，Nd：YAG，Al2O3等以及某些碱土金属和碱土金属的卤族化合物等，许多晶体品种早已开始进行不同规模的工业生产。 与其他方法相比，熔体生长通常具有生长快、晶体的纯度和完整性高等优点。 主要有提拉法、坩埚下降法、泡生法、水平区熔法、焰熔法、浮区法等 3.4 半导体材料的制备工艺方法