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ICS 31.080
L 53
备案号:QB/440600 31 1174-2018 Q/DGE
3
佛山市国星光电股份有限公司企业标准
Q/DGE 6-2018
代替Q/DGE 6-2015
FC 型半导体片式发光二极管详细规范
2018-07-08 发布 2018-07-08 实施
佛山市国星光电股份有限公司 发布
Q/DGE 6-2018
前 言
本标准参照GB/T 1.1-2009作为编制的起草规则,并参照GB/T 18904.3-2002 《半导体器件 第12-3
部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范》的规定格式进行编写。技术指标结合国外先进公
司同类产品的技术参数和本公司产品的性能特点进行编写。
本标准代替Q/DGE 6-2015 《FC型半导体片式发光二极管详细规范》标准,与Q/DGE 6-2015相比主要
变化如下:
——增加“FC ”型双色半导体发光二极管命名规则;
——增加9.4 FC-F1616系列产品外形图;
——根据产品规格书更新9.4 FC-1010系列产品外形图;
——各组实验的备注中电流要求RGB三色统一改为IF=5mA,其余统一改为IF=10mA;
——D5分组冷热冲击实验(D)中的循环数条件改为200;
——D组增加一个“鉴定批准试验”项目*D9e。
本标准的附录A、附录B、附录C、附录D、附录E、附录F、附录G、附录H、附录I是标准的规范性附
录。
本标准起草单位:佛山市国星光电股份有限公司。
本标准主要起草人:李程、袁毅凯、李军政、刘传标、秦快、朱明军、顾峰、陈爱娣、刘慧娟、刘
艳。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
——Q/DGE 7-2004 《FC型半导体白色片式发光二极管详细规范》;
——Q/DGE 6-2004 《半导体红色、绿色片式LED详细规范》;
——Q/DGE 6-2009 《FC型半导体片式发光二极管详细规范》;
——Q/DGE 6-2012 《FC型半导体片式发光二极管详细规范》;
——Q/DGE 6-2015 《FC型半导体片式发光二极管详细规范》。
I
Q/DGE 6-2018
FC 型半导体片式发光二极管详细规范
本标准规定了FC型半导体发光二极管的详细要求。
Q/DGE 6-2018
佛山市国星光电股份有限公司
评定电子元器件质量的依据:
GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部
分:分立器件和集成电路总规范
GB/T 12565 半导体器件 光电子器件分
规范
详细规范用于:FC型半导体片式发光二极管
订货资料:见本规范第7章。
1 机械说明 2 简略说明
外形标准:参照《产品规格书》 类型:表面贴装片式单色、双色、或三色半导体发光分
外形图:见本规范9.4 立器件。
引出端识别:见本规范9.4 半导体材料:InGaN 、GaP 、AlGaInP 、GaAsP、ALGaAs
标志:见本规范第6章 等。
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