Q_DGE 7-2018FP型半导体发光二极管详细规范.pdf

ICS 31.080.99 L 53 备案号：QB/440600 31 3723-2018 Q/DGE 佛山市国星光电股份有限公司企业标准 Q/DGE 7-2018 代替Q/DGE 7-2015 FP 型半导体发光二极管详细规范 2018-07-08 发布 2018-07-08 实施 佛山市国星光电股份有限公司 发布 Q/DGE 7-2018 前 言 本标准参照GB/T 1.1-2009作为编制的起草规则，并参照GB/T 18904.3-2002 《半导体器件第12-3 部分：光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范》的规定格式进行编写。技术指标结合国内外同类 产品的技术参数和本公司产品的性能特点进行编写。 本标准代替Q/DGE 7-2018 《FP型表面贴装大功率发光二极管详细规范》标准，与Q/DGE 7-2015相比 无变化。 本标准的附录A、附录B、附录C、附录D、附录E、附录F是标准的规范性附录。 本标准起草单位：佛山市国星光电股份有限公司。 本标准主要起草人：李程、袁毅凯、潘利兵、李军政、谢志国、蔡连章、范正龙。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——Q/DGE 7-2009 《FP型表面贴装大功率发光二极管详细规范》 ——Q/DGE 7-2012 《FP型半导体发光二极管详细规范》 ——Q/DGE 7-2015 《FP型半导体发光二极管详细规范》。 I Q/DGE 7-2018 FP 型半导体发光二极管详细规范 本标准规定了FP型半导体发光二极管的详细要求。 佛山市国星光电股份有限公司 Q/DGE 7-2018 评定电子元器件质量的依据： GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成 电路总规范 GB/T 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范 标准用于：FP 型半导体发光二极管 订货资料：见本标准第 7 章 1 机械说明 2 简略说明 外形标准：参照《产品规格书》 类型：表面贴装带透镜（平面透镜、球形透镜等其 外形图：见本标准10.5 他透镜）功率≥0.5 W 半导体发光分立器件 引出端识别：见本标准10.5 半导体材料：InGaAlP、InGaN、GaP 、GaAs 、GaAsP、 标志：见本标准6.1 AlGaAs 等等 封装：硅树脂、陶瓷或铜基板、键合线、荧光粉等 应用：各种照明、显示、装饰、背光、监控、固化、 杀菌等特殊应用 3 质量评定类别 Ⅰ类 参