电晶体直流偏压电路P1.doc

PAGE PAGE 1 第四章電晶體直流偏壓 共四頁 一.共射極放大電路直流分析:電容器斷路,VBE=0.7V工作於操作區,工作點(或Q點)VCE,Ic,P=VCEIc 1.固定偏壓電路：穩定因素S==1+? 穩定性最差 2.具有射極電阻的電流負回授偏壓電路：S=1~(1+?) RE愈大S愈小 3.電壓負回授偏壓電路：S較佳 RB愈小愈佳 4.自給偏壓電路(無射極電阻):S佳 5.自給偏壓電路(具射極電阻)：S最佳 6.共集極放大電路：又稱射極隨耦器，Av?1,作阻抗匹配 7.共基極放大電路：S=1 圖(1) 圖(2) 圖(3) 1.圖(1)電晶體電路,其電晶體直流工作點VCE應為(A)5 (B)6 (C)7 (D)8 伏特 [82保甄] 2.同上題所示電晶體電路,其電晶體的直流消耗電功率應為(A)15 (B)25 (C)35 (D)45 毫瓦 [82保甄] 3.同上題所示電路,其電路的穩定因數S應為(A)1 (B)25(C)50 (D)51 [82保甄] 4.如圖(2)矽製電晶體的?=200,順偏時VBE=0.7V,求集極對地的電壓Vc?？(A)9.3V (B)8V (C)7V (D)6V (E)5V [82四技] 5.圖(3),若電晶體之VBE=0.7伏特時,則電晶體對地電壓Vc約為(A)8.42伏特 (B)12.28伏特 (C) 7.72伏特 (D)11.58伏特 [83保甄] 圖(4) 圖(5) 圖(6) 6.圖(4)之放大器電路,電晶體之?=100,若操作點上Ic=10mA,VBE=0.5V,則RB值應為(A)35K? (B) 65K? (C)115K? (D)145K? [84中夜] 7.同上題,集極與射極間電壓VCE為(A)2V (B)3V (C)4V(D)5V [84中夜] 8.如圖(5)所示之電路,若電晶體為矽質,Vcc=12V,Rc=1k?,RB=100K?,?=150,則IB值為(A)120.2?A (B)60.2?A (C)50.2?A (D)46.2?A [85保甄] 9.圖(6)之電路,其Ic為(A)3.68 (B)4.63 (C)5.21 (D)6.21mA [86中夜] 圖(7) 圖(8) 圖(9) 10.圖(7)之回路中,其矽晶體之射極偏壓VE約為何值？(A)12.3V (B)13.6V (C)14V (D)15.2V [84保甄] 11.如圖(8)所示之電晶體集極回授偏壓電路,電晶體直流電流增益?為50,試求集極對射極間之直 流電壓近似值約為多少伏特？(A)10 (B)8 (C)6 (D)4 (E)2 [81四技] 12.圖(9)之電路直流偏壓之IB值為何？(設VBE=0.7V)(A)1.5?A (B)1.1mA (C)11mA (D)3.3mA (E) 23.1?A [84四技] 圖(10) 圖(11) 圖(12) 13.如圖(10)所示電路,若VBB=5V,Vcc=10V,RB=200K?,RL=3K?,電晶體為矽質,其?值為100,其集 極與基極間之電位差為(A)-4.3V (B)2.45V (C)1.38V (D)2.85V [85保甄] 14.在圖(11)所示直流偏壓電路中,其矽質NPN電晶體?=50,RB1=RB2=100K,Vcc=15V,VBE=0.7V, Rc=2k?,RE=1K?,則直流偏壓VCE大約為多少伏特？(A)8.8 (B)6.8 (C)4.8 (D)10.8 (E)12.8 [83四技] 15.如圖(12)所示,IB?？若?=100,VBE=0.7V。(A)51.3?A(B)200?A (C)102?A (D)10.5?A (E)39.3?A [86四技] 圖(13) 圖(14) 圖(15) 16.圖(13)所示電晶體放大器,其電晶體的直流基極電流IB應為(A)185 (B)285 (C)385 (D)485 ?A [80保甄] 17.如圖(14)電路,矽電晶體之?=100,