《长波长激光二极管的制作方法》【毕业设计论文】.docVIP

PAGE 引 言 20世纪70年代初实现了半导体激光器的室温、连续激射后，开创了半导体激光器发展的新时期。随着半导体激光器激射波长范围的扩展、光谱特性的改善和输出功率的增加，半导体激光器的优越性更加明显，应用领域越来越广。 半导体激光器又称为激光二极管，其所发射激光依波长及应用，可分为短波长与长波长激光两大类。短波长激光包含发光波长由390纳米到950纳米的激光，主要用于光驱、激光打印机、条形码机、扫描仪及指示器等光信息及显示的应用；长波长激光则涵盖发光波长由980纳米至1550纳米之激光，主要用于光纤通信。 长波长激光二极管主要用砷化铝镓铟和砷磷化铟镓材料所制成，其中最重要的是使用具有单模、稳频操作的1310纳米或1550纳米激光二极管，以作为光纤通信的光源。另外，也有用在光纤放大器的激发源的980纳米或1480纳米激光二极管。由于长距离光纤通信朝向高传输功率及波长多任务系统发展，使用光纤放大器取代传统的电子式中继站正迅速发展。 激光二极管的寿命与其制备工艺密切相关，每一步工艺都可能对其可靠性产生重大影响。本文将着重研究长波长激光二极管的原理及制作工艺，力求降低激光器的阈值电流，提高激光器的光功率，延长激光器的工作寿命。 第一章 激光理论基础 激光是 20世纪以来，继 原子能、 计算机、 半导体之后，人类的又一重大发明，被称为“最快的刀”、“最准的尺”。本章介绍了激光的产生及其特性。 1.1 激光的产生原理 1.1.1 普通光源的发光——受激吸收和自发辐射 普通常见光源的发光是由于物质在受到外来能量（如光能、电能、热能等）作用时，原子中的电子就会吸收外来能量而从低能级跃迁到高能级，即原子被激发。激发的过程是一个“受激吸收”过程。处在高能级（E2）的电子寿命很短，在没有外界作用下会自发地向低能级（E1）跃迁，跃迁时将会产生光（电磁波）辐射。辐射光子能量为hv=E2-E1 这种辐射称为自发辐射。原子的自发辐射过程完全是一种随机过程，各发光原子的发光过程各自独立，互不关联，即所辐射的光在发射方向上是无规则的射向四面八方，另外相位、偏振状态也各不相同。由于激发能级有一个宽度，所以发射光的频率也不是单一的，而有一个范围。 在通常热平衡条件下，处于高能级E2上的原子数密度N2，远比处于低能级的原子数密度低，这是因为处于能级E的原子数密度N的大小随能级E的增加而指数减小，即 N∝exp(-E/kT)，这是著名的波尔兹曼分布规律。于是在上、下两个能级上的原子数密度比为N2/N1∝exp｛-（E2-E1）/kT｝式中k为波尔兹曼常量，T为绝对温度。因为 E2＞E1，所以N2《N1。所以普通广义的发光是包含了受激吸收和自发辐射两个过程。 1.1.2 受激辐射和光的放大 由量子理论知识知道，一个能级对应电子的一个能量状态。电子能量由主量子数 n(n=1,2,…)决定。但是实际描写原子中电子运动状态，除了能量还有轨道角动量L和自旋角动量S，它们都是量子化的，由相应的量子数来描述。对轨道角动量，波尔曾给出了量子化公式Ln=nh，但这不严格，因这个式子还是在把电子运动看作轨道运动基础上得到的。严格的能量量子化以及角动量量子化都应该有量子力学理论来推导。 量子理论告诉我们，电子从高能态向低能态跃迁时只能发生在量子数相差±1的两个状态之间，这就是一种选择规则。如果选择规则不满足，则跃迁的几率很小，甚至接近零。在原子中可能存在这样一些能级，一旦电子被激发到这种能级上时，由于不满足跃迁的选择规则，可使它在这种能级上的寿命很长，不易发生自发跃迁到低能级上。这种能级称为亚稳态能级。但是，在外加光的诱发和刺激下可以使其迅速跃迁到低能级，并放出光子。这种过程是被“激”出来的，故称为受激辐射。 受激辐射的过程大致如下：原子开始处于高能级E2，当一个外来光子所带的能量 hv正好为某一对能级之差E2-E1，则这原子可以在此外来光子的诱发下从高能级E2向低能级E1跃迁。这种受激辐射的光子有显著的特点，就是原子可发出与诱发光子全同的光子，不仅频率（能量）相同，而且发射方向、偏振方向以及光波的相位都完全一样。于是，入射一个光子，就会出射两个完全相同的光子。这意味着原来光信号被放大，这种受激过程中产生并被放大的光就是激光。 1.1.3 粒子数反转 当频率一定的光射入工作物质时，受激辐射和受激吸收两过程同时存在，受激辐射使光子数增加，受激吸收却使光子数减小。物质处于热平衡态时，粒子在各能级上的分布，遵循平衡态下粒子的统计分布律。按统计分布规律，处在较低能级E1的粒子数必大于处在较高能级E2的粒子数。这样光穿过工作物质时，光的能量只会减弱不会加强。要想使受激辐射占优势，必须使处在高能级E2的粒子数大于处在低能级E1的粒子数。这种分布正好与平衡态时的粒子分