溅射功率和氧分压对ITO薄膜光电性能的影响研究.docxVIP

王生浩 ,张静全 ,王 波 ,冯良桓 ,蔡亚平 ,雷 智 ,黎兵 ,武莉莉 , 王生浩 ,张静全 ,王 波 ,冯良桓 ,蔡亚平 ,雷 智 , 黎 兵 ,武莉莉 ,李 卫 ,曾广根 ,郑家贵 ,蔡 伟 (四川大学 材料科学与工程学院 ,四川 成都 610064) 摘 要 : 采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡 ( I TO) 透明导电薄膜 ,通过四探针、紫外可见分光光度 计、X 射线衍射 ( XRD) 、霍尔效应仪 、扫描电镜 ( S EM) 等对薄膜样品进行了表征 ,研究了溅射功率和氧分压 对 I TO 薄膜微观结构和光电性能的影响 , 结果表明 : 溅射功率对 I TO 的光电性能影响较小 ,沉积速率随着 溅射功率的增大而加快 ;随着氧分压的升高 ,载流子浓 度降低 ,霍尔迁移率先增大后减小 ,电阻率逐渐增大。 在优化的工艺条件下 ,制备了在可见光区平均透过率 达 85 % 、电阻率为 1 ×10 - 4Ω ·c m 的光电性能优良的 I TO 薄膜。 关键词 : 氧化铟锡 ;直流磁控溅射 ;电阻率 ;透光率 J GP350 型磁控溅射仪制备 , 靶材为 I TO 陶瓷靶 ( m ( In2 O3 ) ∶m ( Sn2 O3 ) = 90 ∶10 ) , 直径 100 mm 。衬底 为普通钠玻璃 ,使用直流放电沉积 ,工作气体为氩氧混 合气 ,沉积气压