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欢迎大家！19.2.2 晶闸管的保护 晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。 晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部断路或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为 400A 时，仅允许持续 0.02 秒，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。1. 晶闸管的过电流保护(1) 快速熔断器保护 电路中加快速熔断器。当电路发生过电流故障时,它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。接在输出端接在输入端与晶闸管串联(2) 过电流继电器保护 在输出端(直流输)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过电流故障时，继电器动作，使电路自动切断。(3) 过电流截止保护 在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过电流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。CCRR2. 晶闸管的过电压保护(1) 阻容保护 利用电容吸收过电压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中, 然后释放到电阻中消耗掉。晶闸管元件的阻容保护(2) 硒碓保护 硒碓保护(硒整流片)B2第二基极B2P发射极E欧姆接触 电阻ENB1第一基极B119.2.3 单结晶体管触发电路1. 单结晶体管(1) 结构PN结N型硅片(b) 符号(a) 示意图单结晶体管结构示意图及其表示符号UE ? UP时等效电路UP – 峰点电压UD – PN结正向导通压降(2) 工作原理由图可求得RE ? – 分压比(0.5~ 0.9)UE ? UBB+UD = UP 时PN结反偏，IE很小；PN结正向导通, IE迅速增加。测量单结晶体管的实验电路UEP峰点电压UPV谷点电压UVIEo负阻区饱和区截止区 UP(峰点电压)： 单结晶体管由截止变 导通所需发射极电压。UV、IV(谷点电压、电流): 维持单结晶体管导通的 最小电压、电流。(3) 单结晶体管的伏安特性UEUP后，大量空穴注入基区，致使IE增加、UE反而下降,出现负阻-负阻区。IpIVB2EB1单结晶体管的特点(1) UE UP时单结晶体管截止；UE UP时单结晶体管导通，UE UV时恢复截止。(2) 单结晶体管的峰点电压UP与外加 固定电压UBB及分压比?有关，峰 点电压UP或分压比?不同，则峰值电压 UP不同。 (3) 不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流 IV 都 不一样。谷点电压大约在2 ~ 5V之间。常选用? 稍大一些， UV稍小的单结晶体管，以增大输出 脉冲幅度和移相范围。2.单结晶体管触发电路(1) 振荡电路 单结晶体管弛张振荡电路利用单结晶体管的负阻特性及 RC 电路的充放电特性组成频率可调的振荡电路。单结晶体管弛张振荡电路UpUVuCUp-UD?tug?t(2) 振荡过程分析设通电前uC =0。 接通电源U, 电容C经电阻 R充电。电容电压uC逐渐升高。 当uC ? UP时,单结晶体管导通,电容C放电,R1上得到一脉冲电压。电容放电至uC ? Uv时,单结晶体管重新关断,使ug?0。uCuPuVo?tuOo?t 注意：R 值不能选的太小，否则单结晶体管不能关断，电路亦不能振荡。(b) 电压波形主电路触发电路(3) 单结晶体管触发的半控桥式整流电路U2M?tOU2M?t?t UZ1) 整流削波整流削 波UpUV?t?t?tUP-UD2) 触发电路UZ3) 输出电压uL?t问 题 讨 论1. 单结晶体管触发的可控整流电路中，主电路和触发 电路为什么接在同一个变压器上？ 目的：保证主电路和触发电路的电源电压同时过零(即两者同步)，使电容在每半个周期均从零开始充电,从而保证每半个周期的第一个触发脉冲出现的时刻相同(即?角一样)以使输出平均电压不变。2. 触发电路中，整流后为什么加稳压管？ 稳压管的作用：是将整流后的电压变成梯形波(即削波),使单结晶体管两端电压稳定在稳压管的稳压值上,从而保证单结晶体管产生的脉冲幅度和每半个周期产生第一脉冲的时间，不受交流电源电压变化的影响。uL? 电容充电速度变慢R3. 一系列触发脉冲中，为什么只有第一个起作用？ 如何改变控制角?？ 根据晶闸管的特性，它一旦触发导通，在阳极电压足够大的条件下,即使去掉触发信号,仍能维持导通状态。因此,每半个周期中只有第一个触发脉冲起作用。改变充电时间常数即可改变控制角?。控制角?变化的范围称为移相范围。4. 电压的调节3. 应用举例(1) 电瓶充电机电路 该电瓶充电机电路使用元件较少，线路简单，具有过充电保护、短路