传感器原理及检测技术.pdfVIP

光电式传感器 光电式传感器  光电效应和光电元件  光电器件的特性  光电耦合器件  电荷耦合器件(CCD)  光电式传感器 光电式传感器  光电式传感器的概念 光电式传感器是以光电元件作为转 化元件，可以将被测的非电量通过光量 的变化再转化成电量的传感器。光电式 传感器一般由光源、光学元件和光电元 件三部分组成。 光电式传感器的物理基础是光电效 应。 光电效应和光电元件  外光电效应  基于外光电效应的器件  内光电效应  基于内光电效应的器件 光电效应  外光电效应 入射光发生光电效应的波长限由下 式确定： hc 1 . 239 0 m A A c为光速，h为普朗克常数，A为物体 的表面逸出功。 基于外光电效应的器件  光电管 基于外光电效应的器件  光电倍增管 光电效应  内光电效应之一(光电导效应) 发生内光电效应的临界波长，由下 式确定： 1239  nm 0 E g E g为材料的禁带宽度，锗的为 0.75eV，硅的为1.2eV。 光电效应  内光电效应之二(光生伏特效应) 势垒效应(结光电效应) 侧向光电效应 基于内光电效应的器件  光敏电阻 光敏电阻工作原理 光敏电阻外壳封装 基于内光电效应的器件  光敏电阻 光敏电阻工作原理 光敏电阻外壳封装 基于内光电效应的器件  光敏晶体管 － P N ＋ + N P N - 光敏二极管 光敏三极管 基于内光电效应的器件  光电池与外电路连接方式 + - P N P N mA V + - (a) (b) (a)短路电流输出 (b)开路电压输出 光电器件的特性  光照特性 常用响应率R来表征光电器件的光 照特性： V I p p R R v