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模拟电子技术基础 一、常用半导体器件 第一周 1.3 为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子的运动？ 答：在PN 结中，P 区的多子空穴与N 区的多子电子在交界处会存在电子与空穴的浓度差，于是空穴和电子都 要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，这样就形成了扩散运动。 在多数载流子的扩散过程中，交界处的电中性因为电子与空穴的复合而被破坏了，产生了由N 区指向P 区的内电场，P 区中的少子电子和N 区中的空穴就在内电场的作用下进行漂移运动。 1.6 把一节1.5V 的电池直接接到（正向接法）二极管的两端，会不会发生什么问题？ 答：二极管可能会烧坏。硅管的导通电压为 0.6V～0.7V，锗为0.2V～0.3V，当电源正向串联二极管时，由 I = (U − uD)/R 知，当未加限流电阻时，通过二极管的电流将远大于管子的最大整流电流IFM （毫安），引起 管子发热，从而使PN 结烧坏。 1.7 为什么二极管的反响饱和电流与外加电压基本无关，而当温度升高时会明显增大？ 答：二极管的反向饱和电流是由少子漂移形成的，少子由半导体本征激发产生，在温度一定的环境下，浓度 不变而且很低。在外加反向电压的情况下，全部少子都参与了导电，所以此时外加电压大小与反向电