第一部分
第二章 半导体理论基础
2.1 固体晶体结构
The Crystal Structure of Solids
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§2.1.1 半导体的晶格结构和结合特性
一.半导体材料:
1,元素半导体 (IV族半导体):Si ﹑Ge ,金刚石C (高温半导体),灰锡;
a-Sn
2,化合物半导体: Ⅲ- Ⅴ族:GaAs ﹑InP ﹑GaN;
Ⅱ-Ⅵ 族:InZnSe; ZnO
3,多元化合物:HgCdTe(红外探测) ;Al Ga As ;InGaAsP等
x 1-x
4,新兴半导体:有机半导体( 由导电高分子) ;陶瓷半导体;量子点﹑线﹑阱
等
5. 几种主要半导体元素的族(价)数:
III IV V
B (硼) C (碳)
Al (铝) Si (硅) P (磷)
Ga (镓) Ge (锗) As (砷)
In (铟) Sb(锑)
二、固体类型
固体的性质(电、磁、力、热、声、光学特性),与固体的化学组成、原子的
的排列密切相关。
固体的三种类型(依据材料中有序化区域的大小加以判定):
晶界
晶粒
无定型 多晶 单晶
(只在几个原子或分子的尺度内有序) (多个原子或分子有序) (在整体范围有序,有更好的电学特性)
#有序化区域:指原子或分子有规则或周期性几何排列的空间范畴
三、空间晶格(一般指单晶材料)
晶格:晶体中原子的周期性排列
晶胞:是指可以复制出整个晶体的一个小晶体单元
原胞:可以通过重复(copy )形成晶格的最小晶胞。
基本的晶体结构(共有14种晶胞):
简立方 体心立方 面心立方
晶面和密勒指数
晶面:晶体中的某一平面,一般是指通过晶体中一族格点的平面;
密勒指数:一个平面在晶格三个坐标轴上的截距(p, q, s) 的倒数(1/p, 1/q,
1/s) ;凡是与该平面平行的面,都是等价的,因而具有相同的密勒指数;
晶向:垂直晶面的一族法线。
[111]晶向
[110]晶向
(100)平面 (110)平面 (111)平面
[100]晶向
四、半导体晶体结构和结合特性:
1,金刚石结构:金刚石C ﹑Si ﹑Ge ﹑a-Sn ;
(1)结构:两个相同原子组成的面心立方沿体对角线方向位移1/4111后套
构而成的复式晶格;(如下图)
金刚石结构:晶格中含有一种原子
Si
砷化镓的闪锌矿结构:晶格中含有两类原子 (每个镓原子有四个最近邻的砷原子,或反之
也然)
五、原子价键--半导体的结合特性
一. 固体的形成:
固体是依靠原子间的价键或某种相互作用来形成固态晶体。形成固体的过程,一
定是热平衡系统的总能量趋于达到最小值的过程。
二、固体形成的四种价键:
1、离子
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