教学内容和要求教学讲义.ppt

最大集电极电流ICM 极间反向击穿电压UBR 最大集电极耗散功率PCM ④ NPN型晶体管的温度特性 温度每升高10oC， ICBO约增大1倍 温度每升高1oC，β约增大0.5%~1% 2、NPN型晶体管模型 由NPN型晶体管组成的电子电路 + + - - ui uO RC RB UCC UBB RL ui足够小条件下，将静态工作点Q附近晶体管特性线性化，根据叠加定理，晶体管电压uBE = UBEQ+ube、uCE = UCEQ+uce，电流iB = IBQ+ib、iC = ICQ+ic ——电子电路的动态分析=静态分析+交流小信号分析 电子电路的静态分析——静态工作点Q——偏置UBB、UCC单独作用时晶体管电压UBEQ、UCEQ，电流IBQ、ICQ 电子电路的交流小信号分析——静态工作点Q附近——交流小信号ui单独作用时晶体管电压ube 、uce，电流ib、ic + - UO RC RB UCC UBB RL 偏置UBB、UCC单独作用时 图解——输入电路线性部分——输入直流负载线 输入电路非线性部分——晶体管输入特性 在允许一定误差条件下，将晶体管输入特性用折线近似 UBB Uon iB/μA uBE/V + - UO RC RB UCC UBB RL 图解——输出电路线性部分——输出直流负载线 输出电路非线性部分——晶体管输出特性 在允许一定误差条件下，将晶体管输出特性用折线近似 UCC uCE/V iC/mA iB = 20?A iB = 0 iB = 40?A iB = 60?A iB = 80?A UCES ①晶体管的直流模型 用于近似晶体管输入特性的折线与电压源和开路组合的VCR曲线在功率允许和偏置条件下吻合 Uon iB/μA uBE/V 晶体管在功率允许和偏置条件下的输入端可以抽象为电压源开关模型 用于近似晶体管输出特性的折线与电压源和电流控制电流源组合的VCR曲线在功率允许和偏置条件下吻合 uCE/V iC/mA iB = 20?A iB = 0 iB = 40?A iB = 60?A iB = 80?A UCES 晶体管在功率允许和偏置条件下的输出端可以抽象为电压源或电流控制电流源 + + - - UBE UCE IB IC UBE≥Uon UCEUBE Uon IB UCE + - UBE + - IC + - UBE≥Uon UCEUBE Uon IB UCE + - UBE + - IC + - + - UCES UBEUon IB=0 UCE + - UBE + - IC=0 交流小信号ui单独作用时 + + - - ui uo RC RB RL 图解——输入电路线性部分——输入交流负载线 输入电路非线性部分——晶体管输入特性 在允许一定误差条件下，将静态工作点Q附近晶体管输入特性小范围内用切线近似 Q ube ib iB/μA uBE/V + + - - ui uo RC RB RL 图解——输出电路线性部分——输出交流负载线 输出电路非线性部分——晶体管输出特性 在允许一定误差条件下，将静态工作点Q附近晶体管输出特性小范围内用切线近似 uCE/V iC/mA iB = 20?A iB = 0 iB = 40?A iB = 60?A iB = 80?A Q uce ic ②晶体管放大区的交流小信号模型 用于近似静态工作点Q附近晶体管输入特性小范围内的切线与动态电阻的VCR曲线在交流小信号条件下吻合 Q ube ib 晶体管在静态工作点Q附近交流小信号条件下的输入端可以抽象为动态电阻 用于近似静态工作点Q附近晶体管输出特性小范围内的切线与电流控制电流源和动态电阻组合的VCR曲线在交流小信号条件下吻合 晶体管在静态工作点Q附近交流小信号条件下的输出端可以抽象为电流控制电流源和动态电阻组合 Q uce ic + + - - ube uce ib ic Q附近 ib uce + - ube + - ic rbe rce rbe修正——晶体管结构特点——基区很薄，交流小信号模型中的rbe需考虑基区体电阻rbb的影响 例1，图示NPN型晶体管组成的电子电路中，β=100，rbb=100Ω，UA→∞。求(1) 静态工作点；(2)ui =10sint mV时的uO + + - - ui uO 5.1kΩ 24kΩ 12V 1V 静态分析—— 12V与1V单独作用的电路——晶体管用直流模型 24kΩ 0.7V IB 1V 5.1kΩ 12V + - + - + - + - UO 24kΩ 0.7V IB 1V 5.1kΩ 12V + - + - + - + - UO 交流小信号ui单独作用时 id ud + - R + - ui 交流小信号分析—— 图解——电路线性部分——交流负载线 电路非线性部分——二极管V