用tcad进行ic新工艺的开发_图文.docVIP

仿真技术文章编号:1008-0570(200610-1-0131—03 用TCAD进行l C新工艺的开发 USlNG TCAD|N IC PROCESS DEvELOPMENT (上海大学关彦青程东方王邦麟 Guan,Yanqing Cheng,Dongfang Wang,Bang—lin 摘要:文章对集成电路工艺计算机辅助设计系统(TCAD虚拟FAB系统做了简要介绍,指出了TCAD在新工艺开发中的地位,提出了利用TCAD进行新工艺开发的思想。以synopsys公司的TWB虚拟FAB系统为例,对TCAD用于新工艺的开发作了探讨.并给出了以此为平台进行700V高压BCD工艺设计的实例。 关键词:虚拟FAB;工艺辅助设计:高压BCD工艺 中图分类号:TN402文献标识码:A Abstract:The article gives a brief introduction of the TCAD Virtual FAB infrastructure system.In the article the author points out the position of TCAD in the IC process development and puts forward the method that using TCAD in IC new process development. Then take TⅣB software package of Synopsys corporation as an example.he discusses how TCAD can be used in the IC new process development.A700V BCD process design was also given as an example to jusfify the method that the author has proposed. Key words:Virtual FAB,TCAD,High voltage BCD process 当今计算机仿真已经非常普遍应用在电子系统的设计中。随着计算机性能不断提高以及软件技术的进步。出现了用于IC工艺开发的仿真系统。TCAD (Technology CAD即工艺计算机辅助设计,它的最早出现就是以工艺辅助开发为目的的。随着计算技术的发展,如今TCAD工具已经在集成电路生产工艺中有着不可替代的作用.广泛用于工艺优化、工艺控制以及设计优化中,用TCAD进行工艺的设计已经深入到深亚微米的程度。 某些新器件和特殊电路研发需要对新工艺不断提出要求。以单片高压功率集成电路为例,安森美半导体公司最新推出的小型离线式电源电流模式脉宽调制控制器NCPl000,内部就集成了耐压700V的功率开关管和低压CMOS控制及保护电路。而现在集成电路设计都是在给定工艺下进行电路设计,电路设计中所用到的元器件只能在标准工艺提供的范围内选择而限制了一些特殊电路的开发。所以,如要进行此类含有高压功率管集成电路开发必须突破标准CMOS 或Bipolar集成电路制造工艺的限制。从器件设计开始.并形成一套与电路需要完全适应的特殊工艺,才能够达到根本性创新的目的。 对于新器件以及工艺的开发.可以在TCAD构建的虚拟FAB环境中完成器件设计、工艺设计而形成一个标准化工艺模块。这样。新产品的设计可以从器件设计开始而实现源头创新。使新产品的开发不仅突破了标准工艺的限制,而且可以为自己的产品“量身定制”最合适的制造工艺。并且用此方法也可以极大地关彦青:硕士研究生 本项目得到了上海市教委的资助(编号20443节省投资,提高开发效率。 TCAD集成了用于工艺设计所必须的功能。以synopsys公司的TwB(TAURUS WORKBENCH虚拟FAB系统为例:①工艺模拟软件TSUPREM一4用于工艺过程的模拟:②二维器件数值模拟软件MEDICI进行器件性能的分析;③用一维、二维、三维方式观察模拟结果;④可以进行实验设计(DOE——DEsIGN OF EXPERIMENT蒙特卡罗分析和响应表面分析(RSM——RESPONSE SURFACE METHODOLOGY; ⑤集器件模型参数提取工具,可以由MEDICI模拟出的数据提取出器件的模型参数;⑥具有统计分析功能可以对各种模拟结果作统计分析。这些功能使得在虚拟FAB上进行集成电路工艺的开发成为可能。 新工艺的开发涉及器件结构与性能的优化设计、工艺流程设计、器件的模型化以及模型参数的提取、工艺的转移以及设计规则制定等诸多内容。开发过程的各个阶段相互联系,以整体设计目标为出发点.以简单、容易制造为准则,系统地进行优化设计.才能设计出高质量且廉价的工艺模块。TCAD为器件设计、工艺优