第二章-显微分析技术.pptVIP

电子光学——透射电镜 透射电镜还可以给出晶体样品的电子衍射图，是研究晶体结构和晶体缺陷的重要手段。 成像模式有明场像、暗场像、弱束像等，衍射模式有选区电子衍射、会聚束电子衍射、微束电子衍射等。 近年来发展的高分辨电子显微术分辨率达到0.1nm，主要应用于测定微小晶体的结构和直接观测晶体缺陷。 电子光学——透射电镜 材料状态：Ti3Al-Nb合金α2相内的位错网 显示方法：TEM暗场 电子光学——透射电镜 位错 双像 位错 偶极子 超点阵 位错 不全 位错 电子光学——透射电镜 位错环 位错网 位错锁 位错 塞积列 电子光学——透射电镜 碳素结构钢中的扩展位错 双相不锈钢中的层错 电子光学——透射电镜 Ni基高温合金中的晶界滑移 不锈钢中的 曲折晶界 电子光学——透射电镜 Al2O3/SiC 纳米陶瓷中 小角晶界 0.2C-0.05Nb钢 界面位错 电子光学——透射电镜 高温合金中M23C6/γ的 界面结构 NiAl合金 固溶、形变、时效析出相 电子光学——透射电镜 不锈钢中 沉淀相周围位错缠结 45号钢 喷焊涂层 微观结构 电子光学——透射电镜 Ni基高温合金疲劳裂纹扩展过程迹线分析 电子光学——透射电镜 选区电子衍射 会聚束电子衍射 电子光学——透射电镜 位错的HREM像 电子光学——透射电镜 SiC中 倾斜晶界和缺陷 Si3N4 -TiN复合陶瓷 组成相 电子光学——透射电镜 Ni4Mo合金 退火过程中的 无序-有序转变 电子光学——透射电镜 Si3N4 -SiC陶瓷中的裂纹传播 电子光学——扫描透射 在扫描电子显微镜中，在透射方向上也有二次电子逸出，安置二次电子探测器就可以使样品位置移到距物镜较近的地方，显著提高二次电子像的分辨率。 专门设计的扫描透射电子显微镜分辨率已达到0.5nm水平，在晶体缺陷衍衬像、晶体的点阵像及单个原子成像等房方面都达到较高水平。 电子光学——扫描透射 扫描透射电子显微镜的突出进展是在透射电镜中添加电子及X射线探测器，变成一个微区成分和微区晶体结构分析的有力工具，不但能观察到nm尺度的组织形貌细节，还可以从X射线能谱及电子能量损失谱中得到微区化学成分信息，从微区电子衍射得到晶体结构信息，称为分析电子显微术，具有广阔的发展潜力。 电子光学——晶体结构 在晶体结构测定方面，X射线衍射仍旧是主要工具，电子衍射、中子衍射技术解决了微晶、原子空位的测定问题。 X射线衍射技术包括德拜粉末照相相分析、高温/常温/低温衍射仪、背反射/透射劳厄照相、测定单晶结构的四联衍射仪、结构的极图测定等。 电子光学——成分分析 在成分分析方面，除了传统的化学分析技术外，还包括质谱、紫外/可见光/红外光谱分析、气/液相色谱、光发射与吸收谱、X射线荧光分析谱、俄歇与X射线光电子谱、二次离子质谱、电子探针、原子探针、激光探针等，适用于各种不同情况。 电子光学——成分分析 以俄歇电子谱仪为核心，包括低能电子衍射、低能离子散射谱仪、X射线光电子谱仪的表面分析系统仅涉及最表面的几个原子层的结构与成分，因此成为表面分析最重要的设备。 电子光学——成分分析 装备微区X射线能量色散谱仪及电子能量损失谱仪的分析电子显微镜，可以提供元素在材料中的近邻结构状态及化学态的信息，逐步发展为纳米尺度上全面提供材料成分、结构及形貌信息的分析系统。 残余应力分析技术 残余应力分析技术 在机械制造中，各种工艺过程往往都会产生残余应力。但是，如果从本质上讲，产生残余应力的原因可以归结为： 不均匀的塑性变形； 不均匀的温度变化； 不均匀的相变 残余应力分析技术 按其对于被测构件是否具有破坏性，可分为： 有损测试法 盲孔法、环芯法、截条法、切槽法、剥层法等 无损测试法 X射线法、磁性法、超声波法、中子衍射法、扫描电子声显微镜、材料的拉压异性法和位移场重建法等。 残余应力分析技术——盲孔法 盲孔法是目前工程上最常用的残余应力测量方法，美国ASTM 协会已将其纳入标准 其原理是在被测点上钻一小孔，使被测点的应力得到部分或全部释放，并由事先贴在小孔周围的应变计测得释放的应变量，再根据弹性力学原理计算出残余应力来。 这种方法具有较好的精度，因此它已成为应用比较广泛的残余应力测试方法。 分析技术——定量金相 为避免试样边缘倒角，应将试样镶嵌后在进行磨光和抛光，要求观察面与试样侧面垂直以便测得真实深度。 测量涂层、镀层厚度及裂纹深度时可在抛光后的试样上进行。 对于浸蚀后才能测量的试样，应选择适当的浸蚀剂以正确显示试样内部与表层组织的差异。 分析技术——定量金相 测量时应将目镜测微尺垂直于试样表面，沿试样周边随即取点，至少测5点，取平均深度或最大深度。 当表层与内部硬度不同时也可由试样表层向内部以一定间隔测量显微硬度，根据显微硬度值随深度的变化来判读表层深度