反应磁控溅射沉积siox薄膜制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅.docVIP

第２９卷第５期真空科学与技术学报 ２００９年９、１０月ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＶＡＣＩ『Ｉ『ｌ江ＳＣＩ删ＣＥＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ４６ｌ 反应磁控溅射沉积ＳｉＯｘ薄膜制备镶嵌在 二氧化硅介质中纳米晶硅不可行性研究 方应翠’朱仁胜夏锡全汪洪波王旭迪朱武陈长琦 （合肥工业大学真空工程系合肥２３０００９） ＷｈｙＮｏＳｉＮａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓＥｍｂｅｄｄｅｄｉｎＳｉＯｘＦｉｌｍｓＧｒｏｗｎｂｙ ＲｅａｃｔｉｖｅＭａｇｎｅｔｒｏｎＳｐｕＲｅｒｉｎｇ ＦａｎｇＹｉｎｇｅｕｉ’，ＺｈｕＲｅｎｓｈｅｎ，ＸｉａＶａｃｕｕｍ助酚魄，峨舾ｖ，ａ，燃／ｔｙＸｉｑｕａｎ，ＷａｎｇＨｏ，ｇｂｏ，ＷａｎｇＸｕｄｉ，ＺｈｕＷｕ，ＣｈｅｎＣｈａ，ｇｑｉ （Ｄｃ脚ｔｍｅ，，ｔｏｆｏｆＴｅｃ／ｍｏ／ｏｇｙ，飓觎，２３０００９） ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｅＳｉＯｘ（ｘ＜２）ｆｉｌｍｓｗｅｒｅｇｒｏｗｎｂｙＲＦｒｅａｃｔｉｖｅｍａｇｎｅ缸ｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｏｆｈｉ曲ｐｕｒｉｔｙｓｉｌｉｃｏｎｔａｒｇｅｔｕｎｄｅｒｔｈｅｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｏｆａｒｇｏｎｏｒａｍｉｘｔｕｒｅｏｆａｒｇｏｎａｎｄｏｘｙｇｅｎＯｉｌＳｉ（１００）ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ．ＴｈｅＳｉＯｘｆｉｌｍｓｗｅｒｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄｗｉｔｈｘ－ｍｙｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｓｐｅｃｔｒｏｓｅｏｐｙ（ＸＰＳ）．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔ‰ＲＦｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｐｏｗｅｒｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙａｆｆｅｃｔｓｔｈｅｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃｒａｔｉｏｏｆｔｈｅｆｉｌｍｓ．Ｆｏｒｅｘａｍｐｌｅ，ａｔａｌｏｗｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｐｏｗｅｒ，Ｓｉ０２ｐｈａｓｅｄｏｍｉｎａｔｅｓ，ｗｈｅｒｅａｓｏｎｌｙ砒ａｌｌｉｇｈｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｐｏｗｅｒ，ｔｈｅｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｙｏｆｏｘｙｇｅｎ，ｘ，ｃａｎｂｅａｄｊｕｓｔｅｄｂｙｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇｔｈｅｏｘｙｇｅｎｆｌｏｗｒａｔｅ．Ｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇｆｉｎｄｉｎｇｉｓｔｈａｔｉｔｉｓｎｏｔｆｅａｓｉ－ｂｈｔｏｇｒｏｗＳｉｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｅｍｂｅｄｄｅｄＳｉ０２（ｎｃ?ｓｉ／ｓｉｏｚ）ｆｉｌｍｓｖｉａｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇＳｉＯｘｐｒｅｃｕｒｓｏｒｆｉｌｍｓｂｙＲＦｒｅａｃｔｉｖｅｍａｇ－ｎｅｔｍｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ．Ｐｏｓｓｉｂｌｅｒｅ．ｆｌＳＯｉｌ８ｗｅｒｅａｌｓｏｔｅｎｔａｔｉｖｅｌｙｄｉｓｃｕｓｓｅｄ． ＫｅｙｗｏｒｄｓＲｅａｃｔｉｖｅｍａｇｎｅｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ；Ｘ－ｍｙｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；ＳｉＯｘｔｈｉｎｆｄｍ；Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓｉｌｉｃｏｎ摘要用射频磁控溅射法在纯氩气或氩气／氧气混合气体中溅射纯硅靶制备ｓｉｑｘ＜２）薄膜。ｘ射线光电子谱（）礓】Ｓ）分析证实，射频功率对ｘ值起决定作用。当射频功率低时，所制备的薄膜是化学计量比的ｓｉ０２，通过调节氧气分压调节ｘ值非常困难。只有当射频功率较高时，才可以通过调节氧分压调节ｘ值。实验结果证实了射频反应磁控溅射不宜用于制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅（ｎｅ－Ｓｉ／Ｓｉ０２）的前驱体ＳｉＯ，膜。文中讨论了相关机制。 ‘ 关键词反应磁控溅射ｘ射线光电子谱Ｓｉｏｘ薄膜纳米晶硅 中图分类号：ＴＢ４３文献标识码：Ａｄｏｉ：１０．３蜥９／ｊ．ｉ鲫．１６７２－７１２６．２００９．０５．０１ 当纳米晶硅尺寸小于５ｒｉｍ时，镶嵌在二氧化硅从上式中可以看出，如果ｘ值接近２，那么将没介质中的纳米晶硅（ｎｃ—Ｓｉ／Ｓｉ０２），在室温下会发射可有硅晶粒形成。ＳｉＯ。薄膜可以用很多方法制备，如见光［１］１，并且具有光增益特性［２］２，这种性质使得二氧化学气相沉积（ＣＶＤ）Ｅ５－６］，真空蒸发ＳｉＯ［７－８】，ｓｉ４＋化硅介质包裹的纳米晶硅成为全硅基光电器件和硅注入Ｓｉ０２［９Ｊ，激光烧蚀［１０］，共溅射Ｓｉ和ｓｉｃｈｔｌｌＪ或反激光器［３Ｊ的理想材料。制备ｎｃ．Ｓｉ／Ｓｉ０２的主要方法应磁控溅射法溅射纯硅靶［１２Ｊ等，和其它方法相比，之一是先制备ＳｉｏＩｘ＜２）薄膜，然后在１１００。Ｃ氮气很少有人用反应磁控溅射方法来制备ｎｃ—Ｓｉ／Ｓｉ０２的中退火，由于ＳｉＯｘ发生相分离，形成纳米晶硅包裹前驱体ＳｉＯ；薄膜。Ｈｅ等【１３Ｊ报道用该法制备ｎｃ—Ｓｉ／在二氧化硅介质中的结构【４｜。相分离可用下式表Ｓｉ０２，所用射频功率为１５０Ｗ，气体流量比０２／Ａｔ为示：１．２：９６，但是他们测得的荧光谱是一个很宽的光谱 ，，ⅣⅣ ｓｉｏｘ一气产。Ｓｉ＋詈。ｓｉ０２，０＜菇＜２带，并没有明显的纳米晶硅的特征峰。本文探讨反 应磁控溅射法不宜制备纳米晶硅的原因。 收稿日期：２００８．１０－２４ 基金项目：中国博士后基金资助（Ｎｏ．２００６０３９０６９６）；合肥工业大