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非对称H桥五电平逆变器及其通用调制策略* 非对称H桥 五电平 调制策略 1? 引言??? 混合多电平逆变器的功率开关承受的电压应力不同，因此同一拓扑中可以采用不同的功率器件，充分利用了功率开关各自的优点。非对称H桥是混合多电平逆变器中最基本、最典型的一类拓扑，其半桥的功率开关可以分别工作在基频和高频PWM方式，与传统多电平逆变器相比，在输出相同电平数的情况下，减少了功率器件，降低了开关损耗[1,2]。本文首先对非对称H桥五电平逆变器进行了分析，利用其结构特点，提出一种通用的调制策略。最后以电容箝位型非对称H桥拓扑为实验平台，对所提调制策略进行了实验验证。 2? 非对称H桥五电平逆变器??? 非对称H桥拓扑是混合多电平拓扑中最基本、最典型的一类拓扑，其半桥的功率开关可以分别工作在基频和高频PWM方式，与传统多电平逆变器相比，在输出相同电平数的情况下，减少了功率器件，降低了开关损耗。目前最具有实用价值的三种五电平非对称H桥有：双向开关非对称H桥、二极管箝位型非对称H桥和电容箝位型非对称H桥，分别如图1(a、(b、(c所示。图1(a的双向开关型五电平逆变器通过双向开关(S5和D1~D4和H桥(S1~S4，将两个直流电源E的电压组合输出五电平交流电压；图1(b为二极管箝位型五电平逆变器，其左半桥为二极管箝位型三电平半桥，右半桥为两电平半桥，而图1(c为电容箝位型五电平逆变器，其左半桥为电容箝位型三电平半桥。 图1? 非对称H桥五电平逆变器 ??? 传统的多电平逆变器有三类：二极管箝位型、飞跨电容型、H桥级联型，附表为五电平逆变器单相所需功率器件对比表，与传统的三类五电平逆变器相比，前三类拓扑采用电压应力为1:1的功率开关，导致拓扑所需功率开关最多；图1的非对称H桥五电平逆变器混合应用电压应力比为 1:2的功率开关，以较少的功率开关输出五电平电压，从输出电压电平数和所用功率开关数的角度来说，比前三类拓扑具有更大的优势。 附表? 五电平逆变器单相所需功率器件对比表 3? 通用调制策略??? 图1中的非对称H桥五电平逆变器已有的调制策略分别采用特定次谐波消去法[3]和方波-消谐波PWM合成调制策略[4]，前者在电机驱动场合的频繁宽调速范围过程中，开关转换时刻的查表值与真实值之间会存在一定的偏差，后者需要把高、低频功率开关的半桥进行分离调制，计算出高频功率开关半桥的调制波，增加了调制策略的复杂性。针对这些问题，本文提出一种对非对称H桥五电平逆变器具有通用性的调制策略。3.1 通用调制策略原理??? 目前常用的“半桥”主要有三种类型：两电平半桥HB1、二极管箝位型n电平半桥HB2、电容箝位型n电平半桥HB3。而将这三类“半桥”进行有序混合，构成通用非对称H桥如图2所示。图中HBx’表示这个“半桥”相对于HBx以较少的耐高压功率开关工作于阶梯波调制方式，而HBx则以较多的低压功率开关工作于PWM调制状态，x为1、2、3，偶数m为直流电源的标么系数，输出电压的每个电平电压为E。非对称H桥的特点是，当PWM调制状态的半桥HBx的功率开关承受E的关断电压应力时，右半桥HBx’的功率开关承受的关断电压应力最大需达到mE，限制了其功率开关只能为低频、耐高压器件。而图1中的三种非对称H桥五电平拓扑是图2的通用非对称H桥当m=1时的特例。 图2? 通用非对称H桥 ??? 图2的通用非对称H桥的右半桥工作在基频方波调制时，其驱动信号与调制波的过零点同步。根据调制波所在正负区域的位置及左半桥HBx输出电压电平对应的开关状态，确定出基波周期内载波的分布状态。而3种类型的“半桥”中功率开关呈互补对，因此载波数量即为左半桥HBx的功率开关互补对数量，也就是直流电源的标么系数m。图3为非对称H桥拓扑的通用调制策略，载波Cm、Cm’根据输出电压电平对应的开关状态进行有序层叠分布。而正负区域内，载波层叠的位置需根据输出电平对应的开关状态决定，调制波Vref与其所在的载波Ci层进行分层、分区PWM调制，得到对应功率开关Si互补对的PWM驱动信号，使得非对称H桥的uo输出与载波Ci对应的PWM电平层。而在此时间区域内，其它功率开关均处于导通/关断状态。 图3? 通用调制策略原理 3.2 非对称H桥五电平逆变器的通用调制策略??? 由图1的非对称H桥五电平逆变器的工作机理可得，非对称H桥的右半桥的功率开关均工作于基频，左半桥功率开关驱动信号为PWM互补对，例如图1(a中功率开关S1、S5 (或S2、S5互补；图1(b 功率开关S1、S3互补且S2、S4互补；图1(c 功率开关S1、S4互补且S2、S3互补。由图3的非对称H桥通用调制原理可得非对称H桥五电平逆变器通用调制原理如图4所示。非对称H桥五电平逆变器在调制波的正半周期内，需要2路垂直分布的