DAI静电场中导体和电介质.pptVIP

* (2) 当极板间距由d变为2d , 相应的电容为 能量的变化为 可见电场能量增加了,增加的能量是由外力克服两极间引力作功而转换来的. * * * * * * * * * * * * * 介质中的高斯定理虽说是从平板电容器这一特例推导出，但它却有普适性。 * 介质中的场强 E 比真空中的场强 E0小。 * * 孤立导体：周围无其他导体、电介质及带电体。 * * * * 例1 有一外半径R1、内半径R2的金属球壳B, 其中放一半径为R3的金属球A，球壳B和球A均带有电量为q的正电荷. 问：(1) 两球电荷分布. (2) 球心的电势. (3) 球壳电势. R3 R2 R1 分析：电荷分布如图所示: 球面q,壳内表面-q,壳外表 面2q,且所有电荷是均匀分布的. + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + B A 球对称性，可由高斯定理得电场分布 * 例1 有一外半径R1、内半径R2的金属球壳B, 其中放一半径为R3的金属球A，球壳B和球A均带有电量为q的正电荷. 问：(1) 两球电荷分布. (2) 球心的电势. (3) 球壳电势. R3 R2 R1 解：(1) 电荷分布如图所示: 球面q,壳内表面-q,壳外表 面2q,且所有电荷是均匀分布的. + + + + + + + + + + +