《集成电路制造工艺和工程应用》第五章课件.pptxVIP

WAT概述 MOS参数的测试条件 栅氧化层参数的测试条件 方块电阻的测试条件 接触电阻的测试条件 AAPoly金属漏电的测试条件 电容的测试条件;WAT的目的是通过对晶圆产品上特定的测试结构进行WAT参数电性测试，检测晶圆产品是否符合工艺的规格要求。 WAT测试数据有很多方面的用途： 第一、作为出货的判断依据，对晶圆产品进行质量检验； 第二、数据统计分析工作，通过WAT测试，获取工艺生产线上的信息，检测各个WAT测试参数的波动问题； 第三、监测客户特别要求的器件结构； 第四、对客户反馈回来的异常晶圆产品进行分析； 第五、代工厂内部随机审查晶圆的可靠性测试（电迁移，栅氧化层的寿命）； 第六、为工艺生产线上的工艺实验提取参数信息，通过测试WAT参数进行器件建模。 ;WAT测试结构并不是摆放在实际产品芯片内部的，而是摆放在芯片与芯片之间的划片槽（Scribe Line），划片槽的宽度是60um~150um。;WAT测试结构通常包含该工艺平台所有的有源器件和无源器件，例如方块电阻、通孔接触电阻、电容阻值、金属导线电阻、MOS晶体管等。 根据CMOS工艺技术平台的特点，可以把WAT测试类型分为八大类：MOS晶体管、栅氧化层的完整性、多晶硅栅场效应晶体管（Poly Field Device）和第1层金属栅场效应晶体管（Metal1 Field Device）、N型结（ N-diode结构)?和P型结（ P-diode结构）?、金属电容（MIM Capacitor）和多晶硅电容（PIP Capacitor）、方块电阻Rs（Sheet Resistance）、接触电阻Rc (Contact Resistance)和隔离等。;WAT测试参数可以分为以下八大类： MOS晶体管包括低压NMOS和PMOS，以及中压NMOS和PMOS的参数：  栅氧化层完整性（Gate Oxide Integrity - GOI）的参数： 多晶硅栅场效应晶体管和第1层金属栅场效应晶体管的参数： N型结和P型结的参数： ;方块电阻Rs的参数：  接触电阻Rc的参数： 隔离的参数： 金属电容和多晶硅电容的参数： ;MOS晶体管是整个芯片的有源器件，它的电性特性是非常重要的，有五个WAT参数监控它们：Vt，Idsat，BVD，Ioff，Isub。;测量MOS晶体管阈值电压的基本原理是在晶体管的四端分别加载电压，源漏之间存在一定电??差，栅和衬底之间也存在一定电压差，使衬底沟道形成反型层在源和漏之间形成通路，源和漏之间产生电流的过程。 测量MOS晶体管阈值电压的方法有两种：第一种方式是利用最大电导的原理测量?；第二种方式是利用电流常数测量。 ;第一种方式利用最大电导的原理测量阈值电压的基本原理： 对于NMOS，首先设定Vd = 0.1V 和Vs = Vb = 0V，然后线性扫描Vg 从0V到VDD或者VDDA（VDD为低压器件的最大工作电压，VDDA为中压器件的最大工作电压。），测得最大电导时Vg的值，求该点的斜率，通过该点利用斜率作斜线相交于x轴得到数值Vg(x)?，那么Vt = Vg(x) - 0.5*Vd?。 对于PMOS，首先设定Vd = -0.1V和Vs = Vb = 0V，然后线性扫描Vg从0V到-VDD或者-VDDA，测得最大电导时Vg的值，求该点的斜率，通过该点利用斜率作斜线相交于x轴得到数值Vg(x)，那么Vt = Vg(x) - 0.5*Vd?。 ;第二种方式是利用电流常数测量阈值电压，简单认为Id/W=0.1uA/um晶体管开启： 对于NMOS，首先设定Vd=0.1V和Vs=Vb=0V，然后线性扫描Vg 从0V到VDD或者VDDA，测得Vg在Id/W=0.1uA/um时的值，那么Vtlin=Vg。 对于PMOS，首先设定Vd=-0.1V和Vs=Vb=0V，然后线性扫描Vg 从0V到-VDD或者-VDDA，测得Vg在Id/W=0.1uA/um时的值，那么Vtlin=Vg。;影响晶体管阈值电压的因素包括以下几方面： 阱离子注入异常； 离子注入损伤在退火过程中没有激活； AA或多晶硅栅刻蚀后的尺寸异常； 栅氧化层的厚度异常导致。 ;测量MOS晶体管饱和电流的基本原理是在晶体管的四端分别加载电压，栅极加载最大电压使衬底沟道形成反型层在源和漏之间形成通路，漏端加载最大电压使沟道夹断，晶体管工作在饱和区，沟道中电流达到最大值。此时测得的电流是饱和电流，除以沟道宽度得到单位宽度的电流。 NMOS饱和电流Idsat?，设定Vd=Vg=VDD或者VDDA，Vs=Vb=0V，测量电流Id，那么Idsat=Id/W。 PMOS饱和电流Idsat，设定Vd=Vg=-VDD或者-VDDA，Vs=Vb=0V，测量电流Id，那么Idsat=Id/W。;影响晶体管饱和电