氮化镓功率晶体管三电平驱动技术.pdfVIP

20 13 年 5 月 电 工 技 术 学 报 Vol.2 8 No. 5 第28 卷第 5 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY May 2013 氮化镓功率晶体管三电平驱动技术 1 2 2 2 2 任小永 David Reusch 季 澍 穆明凯 Fred C Lee （1. 南京航空航天大学江苏省新能源发电与电能变换重点实验室 南京 210016 2. Virginia Polytechnic Institute and State University Blacksburg VA 24061 ） 摘要 作为第三代半导体材料的典型代表，宽禁带半导体氮化镓(GaN) 材料具有许多硅材料 所不具备的优异性能，是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料，无论在民用或是军 事领域都具有广阔的应用前景。随着 GaN 技术的进步，大直径硅(Si) 基 GaN 外延技术逐步成熟并 向商用化方向发展。2010 年以来，多家国际著名半导体厂商相继推出GaN 功率晶体管器件。与硅半 导体功率器件一样，合理的驱动方式也是 GaN 功率晶体管优越性能得以体现的重要保障。本文将以 GaN 功率器件在同步整流Buck 变换器中的应用为例，提出一种三电平的驱动方式，以充分发挥GaN 功率晶体管器件的优越性。实验结果表明，本文提出的三电平驱动方式可以有效提高变换器的效率。 关键词：氮化镓 GaN 三电平 驱动方式 中图分类号：TM46 Three-Level Driving Method for GaN Power Transistor Ren Xiaoyong 1 David Reusch 2 Ji Shu2 Mu Mingkai2 Fred C Lee2 （1. Jiangsu Key Laboratory of New Energy Generation and Power Conversion, Nanjing University of Aeronautics and As tronautics Nanjing 210016 China 2. Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg VA 24061 USA ） Abstract As a typical representative of the 3rd generation wide band -gap semiconductor materials, the gallium nitride(GaN) has many outs tanding performance which silicon do not have. It is especially good for high frequency, high pressure, high temperature and high power applications, and it is applicable both in the industry and the military fields. With the advances in GaN technology, large-diameter silicon(Si)-based GaN epitaxial technology matures