氮化物半导体电子器件新进展.pdfVIP

2015 年 第 60 卷 第 10 期：874 ~ 881 《中国科学》杂志社 专栏 评 述 SCIENCE CHINA PRESS 第 516 次学术讨论会 •氮化物半导体电子器件 氮化物半导体电子器件新进展 * * 郝跃 , 张金风, 张进成, 马晓华, 郑雪峰 西安电子科技大学微电子学院, 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室, 西安 710071 * 联系人, E-mail: yhao@; jfzhang@ 2015-01-19 收稿, 2015-02-05 接受, 2015-03-16 网络版发表 摘要 氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的 关键词 一类理想材料. 基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器 氮化物半导体材料 件的主流结构, 该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动, 同时保持了氮化 微波功率器件 物材料的高耐压能力. 近年来, GaN HEMT 器件主要在微波功率和电力电子2 个领域得到 电力电子器件 了快速发展. 本文评述了GaN 微波毫米波功率器件和高效电力电子器件的若干研究进展, 并提出了氮化物电子器件仍存在的问题及解决方向. 以GaN为代表的氮化物半导体具有宽禁带、高击 的速度不断发展. 如图 1 所示, 1996 年具有微波功率 穿场强、高电子饱和速度、高热导率、性质稳定等 特性的GaN HEMT器件被首次报道[1]. 尽管由于当时 显著特点, 并具有极强的自发极化和压电极化效应, 用的蓝宝石衬底热导率较差, 器件的结温很高, 但该 这些性质使其成为实现高性能电子器件的一类理想 器件的输出功率密度 1.1 W/mm与成熟的GaAs 材料. MESFET相当. 随后的10 年中, 提高GaN HEMT器件 在GaN 和禁带更宽的AlGaN(或AlInN)所形成的 特性的一个重要研究就是提升L~C波段(2~8 GHz)的 异质结中, 极化电场显著调制了能带和电荷的分布. 功率密度. 这个过程中, 氮化物材料生长方法和器件 即使整个异质结构没有掺杂, 也能够在AlGaN/GaN 的工艺方法得到了全面的提高, 其中有3 项最重要的 界面形成密度高达 1 ×1013~2 ×1013 cm−2 , 且具有高 技术, 一是采用了SiC衬底, 获得了高水平氮化物外 迁移率特性的二维电子气(2DEG). 2DEG沟道比体电 延材料和改善器件散热; 二是采用表面钝化介质抑 子沟道更有利于获得强大的电流驱动能力和微波功 制电流崩塌; 三是采用场板(field plate)结构调整沟道 率放大能力, 因此GaN 电子器件主要以GaN异质结场 电场分布, 提高器件击穿电压(图 2). 统计结果表明, 效应管(HFET)为主, 该器件结构又称为高电子迁移 这 3 项关键技术使GaN HEMT 的输出功率密度分别 率晶体管(HEMT). 近年来, 氮化物HEMT器件得到 提升到6, 10 W/mm, 乃至高于40 W/mm. 图1 给出 了快速发展, 在微波毫米波功率器件和高效电力电 了美国加州大学圣芭芭拉分校(UCSB)和Cree公司的 子器件方面表现了